基于量子阱混雜技術(shù)的快速波長(zhǎng)可切換V型耦合腔半導(dǎo)體激光器研究.pdf_第1頁(yè)
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1、電信業(yè)進(jìn)入二十一世紀(jì)之后,對(duì)網(wǎng)絡(luò)帶寬的需求還在持續(xù)增加。波分復(fù)用技術(shù)(WDM)、大范圍可調(diào)諧激光器和單片集成技術(shù)的出現(xiàn),極大地增加了每個(gè)光纖內(nèi)傳送的數(shù)據(jù)量,同時(shí)降低了光通信器件的制作成本。在過(guò)去的幾十年中,量子阱混雜技術(shù)(QWI)被證明為一種簡(jiǎn)單有效的實(shí)現(xiàn)單片集成的方法。而其中的KrF準(zhǔn)分子激光器量子阱混雜技術(shù)由于效果好、穩(wěn)定性好,逐漸成為了最有希望的方法之一。
  在本文中,利用實(shí)驗(yàn)室現(xiàn)有的KrF準(zhǔn)分子激光器開(kāi)發(fā)了基于紫外激光照

2、射的量子阱混雜技術(shù)。首次應(yīng)用這項(xiàng)技術(shù)成功制作了FP激光器和無(wú)源波導(dǎo)。測(cè)試得到的FP激光器和無(wú)源波導(dǎo)的性能甚至比量子阱混雜之前的性能更好。隨后,我們將該技術(shù)應(yīng)用到V型腔激光器中,首次實(shí)現(xiàn)了基于載流子注入的波長(zhǎng)調(diào)諧功能。其中腔長(zhǎng)差5%的器件可以實(shí)現(xiàn)1550nm波段100GHz間隔的32個(gè)通道的單電極調(diào)諧,同時(shí)邊模抑制比(SMSR)可以達(dá)到35dB,與熱調(diào)諧的V型腔激光器可以媲美。此外,調(diào)諧電流僅0~40mA,比熱調(diào)諧的電流(>100mA)小

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