1、隨著國(guó)防軍事的迅速發(fā)展，IC芯片因輻射效應(yīng)導(dǎo)致的問(wèn)題也越來(lái)越嚴(yán)重，電子元器件及芯片系統(tǒng)在輻射環(huán)境下可靠性研究變得更加重要，從未來(lái)發(fā)展來(lái)看，抗輻射效應(yīng)加固的問(wèn)題可能成為影響整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展一個(gè)重要因素，對(duì)抗輻射問(wèn)題的研究對(duì)半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)生深刻影響。比如，當(dāng)一個(gè)新型元器件研制出來(lái)后首先就要對(duì)它進(jìn)行輻射可靠性測(cè)試，對(duì)芯片系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程當(dāng)中提高它的抗輻射能力一直是此過(guò)程當(dāng)中重要目標(biāo)。因?yàn)樵趯?shí)驗(yàn)室中存在各種局限難以開(kāi)展空間輻射效應(yīng)的實(shí)驗(yàn)，所以對(duì)輻

2、射效應(yīng)進(jìn)行模擬仿真變得很重要，仿真所得數(shù)據(jù)結(jié)論也可以對(duì)電子元器件或芯片系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供一定參考。
　　本文從介紹各種輻射效應(yīng)環(huán)境角度出發(fā)，重點(diǎn)分析了單粒子輻射效應(yīng)對(duì)FinFET新型器件的影響，通過(guò)對(duì)FinFET的單粒子效應(yīng)的仿真分析得到了下面三個(gè)方面的研究成果：
　　1、介紹了FinFET新型器件的工作原理及其優(yōu)勢(shì)，并利用Sentaurus TCAD軟件建立了它的三維結(jié)構(gòu)模型，基于重粒子轟擊理論模型模擬了不同能量的重粒子轟擊Fi

3、nFET器件漏極而產(chǎn)生的單粒子效應(yīng)，研究結(jié)果表明，當(dāng)FinFET漏區(qū)受到重粒子轟擊時(shí)，由于重粒子在穿透路徑上沉積能量而產(chǎn)生電子空穴對(duì)，并在外電場(chǎng)的作用下分離，從而產(chǎn)生一個(gè)漏極脈沖電流，這個(gè)電流跟經(jīng)典雙指數(shù)脈沖電流一致，隨粒子的LET值增加而變大。
　　2、通過(guò)對(duì)比分析得知：體硅FinFET由于比平面MOSFET的敏感體積小因此它的抗單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)能力強(qiáng)；針對(duì)SOI和體硅兩種不同結(jié)構(gòu)的FinFET，SOI結(jié)構(gòu)存在埋氧層隔離使得襯底里

4、面產(chǎn)生的電荷不能被漏端收集，因而SOI結(jié)構(gòu)比體硅結(jié)構(gòu)抗輻射能力好；可以通過(guò)適當(dāng)提高源端電壓減弱寄生雙極放大效應(yīng)和降低鰭的高度來(lái)縮短單粒子在硅體中的徑跡路徑來(lái)提高抗輻射能力。由這些對(duì)比分析得知寄生雙極晶體管對(duì)漏端脈沖電流的貢獻(xiàn)不如忽視，用寄生雙極放大因子α來(lái)衡量貢獻(xiàn)大小，通過(guò)計(jì)算發(fā)現(xiàn)α隨鰭高增加而非線性增加，提高源端電壓α值變小，SOI結(jié)構(gòu)的α值比體硅結(jié)構(gòu)大。
　　3、使用Hspice仿真軟件對(duì)基于FinFET結(jié)構(gòu)SRAM電路進(jìn)行抗