1、目前在輻射環(huán)境下應用的芯片類型中，基于SRAM結構的FPGA(SRAM-based FPGA)因其具備高邏輯密度、低成本和發(fā)射后可修正與任務更新等特有的優(yōu)勢，越來越受到人們的關注。但是相比于其他類型的芯片，如ASIC、基于反熔絲結構的FPGA等，SRAM-based FPGA更容易受到單粒子效應，尤其是單粒子翻轉效應(single-event upset，SEU)的影響。對于SRAM-based FPGA的SEU加固與測試方法，國外已經

2、有比較成型的理論與試驗經驗，但由于相關技術上的封鎖，以及試驗條件和資源上的限制，國內在這方面的研究還處于探索階段，相關課題已列入國家“十一五”科技重大專項。如何對SRAM-based FPGA進行SEU方面的加固并進行有效的測試評估成為一個迫切需要解決的問題。
　　本文在分析SEU效應在FPGA中的產生機理、加固及測試方法的基礎上，結合國內的SEU試驗條件，設計了一套兼具輻射試驗與誤差注入仿真功能的靈活且低成本的測試系統(tǒng)。使用該系

3、統(tǒng)對XCV300芯片進行了誤差注入仿真試驗及重離子單粒子輻射試驗測試，得到了樣片配置位的單粒子翻轉截面、有實時重配情況下三模冗余法對待測器件(device under test，DUT)的加固效果等試驗結果。
　　仿真與輻照測試結果證明，一方面本測試系統(tǒng)的誤差注入仿真方法可以較好的模擬地面模擬試驗的試驗效果，另一方面地面模擬試驗測試的結果準確可靠。通過與國外現(xiàn)有測試系統(tǒng)結構的性能對比，證明本系統(tǒng)設備更簡單、待測電路更換更方便、測試