基于MOSCAP技術的超低功耗小面積Sigma-Delta調制器的設計與研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著超大集成電路技術的不斷發(fā)展,植入式芯片在醫(yī)療設備中得到廣泛應用,而Sigma-Delta模數轉換器因其成本低、功耗低和精度高的特點,成為植入式芯片中的首選。本文主要針對其模擬部分即Sigma-Delta調制器展開,設計和研究一個基于MOSCAP技術的超低功耗、小面積Sigma-Delta調制器。
   本文研究了MOSCAP技術原理,提出將開關電容電路型Sigma-Delta調制器中的電容用電容密度更高的單管PMOSFET

2、MOSCAP結構替換,以減少芯片面積。在MATLAB下建立Sigma-Delta調制器系統(tǒng)模型,對調制器的系統(tǒng)結構與參數進行了優(yōu)化選取,將MOSCAP電容應用于Sigma-Delta調制器,實現(xiàn)了包括開關型運算放大器和電容分壓量化器等電路模塊。其中針對多比特量化技術,提出了采用電容分壓多比特量化器,用電容串實現(xiàn)分壓電路,且采用不帶前置放大器的動態(tài)比較器,相比于傳統(tǒng)量化器,節(jié)省了大部分靜態(tài)功耗。整體電路采用TSMC0.35μm混合信號CM

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