1、隨著半導(dǎo)體工藝的不斷發(fā)展，單位面積上集成的管子數(shù)量大幅增加，集成電路的規(guī)模也越來越大。在許多設(shè)計(jì)中，存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和程序指令的存儲(chǔ)器占用了芯片的大部分面積，存儲(chǔ)器的性能對整個(gè)電路至關(guān)重要。
　　由于受到周圍環(huán)境的輻射，器件中會(huì)發(fā)生單粒子翻轉(zhuǎn)現(xiàn)象，從而造成存儲(chǔ)器存儲(chǔ)數(shù)據(jù)發(fā)生錯(cuò)誤，嚴(yán)重的影響整個(gè)芯片的性能。尤其對于宇航方面，宇宙空間中較大的輻射強(qiáng)度會(huì)使得器件更容易發(fā)生單粒子翻轉(zhuǎn)，從而導(dǎo)致嚴(yán)重的后果。單粒子翻轉(zhuǎn)對存儲(chǔ)器的可靠性提出了嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)

2、，因此，設(shè)計(jì)一種可以抗單粒子翻轉(zhuǎn)的高可靠性存儲(chǔ)器是非常有意義的。
　　針對單粒子翻轉(zhuǎn)問題，本文對11管單元存儲(chǔ)器及其相關(guān)外圍電路進(jìn)行了設(shè)計(jì)。通過研究單粒子翻轉(zhuǎn)的特性，本文設(shè)計(jì)的11管存儲(chǔ)單元可以通過內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)對發(fā)生的單粒子翻轉(zhuǎn)進(jìn)行糾正，以保證存儲(chǔ)器的高可靠性。設(shè)計(jì)出的11管單元采用節(jié)點(diǎn)隔離，以定時(shí)刷新來對單元中的電荷流失進(jìn)行補(bǔ)償，以此為基礎(chǔ)設(shè)計(jì)了它的外圍電路。由于此結(jié)構(gòu)屬于單端位線讀寫的方式，其靈敏放大器、刷新信號(hào)產(chǎn)生電路和讀寫