1、相變存儲(chǔ)器是一種新型固態(tài)非易失性存儲(chǔ)器,它的存儲(chǔ)單元面積較小,并且有進(jìn)一步小型化的潛力,適合制造大容量固態(tài)存儲(chǔ)器。另外它的擦寫速度很快,目前已經(jīng)開始量產(chǎn)的相變存儲(chǔ)器芯片工作速度較閃存芯片平均快10倍以上。擦寫速度是存儲(chǔ)器的一項(xiàng)關(guān)鍵性能指標(biāo),相變存儲(chǔ)器在很寬的脈沖寬度范圍內(nèi)都可以實(shí)現(xiàn)擦寫操作,在良好的工藝條件和測試條件下,相變存儲(chǔ)器單元的SET和RESET脈沖寬度可以到納秒級(jí),RESET脈沖寬度更是可以降到1ns以下,開展相變存儲(chǔ)器單元的

2、高速擦寫特性研究對(duì)拓展相變存儲(chǔ)器的應(yīng)用領(lǐng)域具有重要的意義。
　　本文的重點(diǎn)是研究相變存儲(chǔ)器單元在皮秒RESET電脈沖作用下的非晶化行為。首先研究了高頻測量中的測試系統(tǒng)帶寬和信號(hào)完整性對(duì)測試的影響,并設(shè)計(jì)了相變存儲(chǔ)器單元的高速擦寫特性測試電路,分別測試了相變材料層厚度為50nm、100nm、150nm的三組相變存儲(chǔ)器單元樣品的皮秒RESET操作特性,實(shí)現(xiàn)了最短脈沖寬度為0.2ns的重復(fù)RESET操作。針對(duì)存儲(chǔ)單元陣列規(guī)模的拓展,同時(shí)

3、為了提高測試的效率,設(shè)計(jì)并研制了一套相變存儲(chǔ)器陣列高速擦寫特性測試系統(tǒng),該測試系統(tǒng)硬件部分包括半導(dǎo)體特性測試儀、皮秒脈沖發(fā)生器、數(shù)字示波器、編譯碼模塊、驅(qū)動(dòng)模塊、單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)延時(shí)模塊和高速脈沖信號(hào)通道等;軟件部分為C語言程序,運(yùn)行在半導(dǎo)體特性測試儀內(nèi)置的計(jì)算機(jī)上。測試系統(tǒng)各部分通過GPIB電纜連接,測試系統(tǒng)整體具有高速脈沖信號(hào)通道帶寬大,測量精確、使用方便的優(yōu)點(diǎn)。
　　本文還利用SPICE建模對(duì)高速脈沖測試電路進(jìn)行了時(shí)域瞬態(tài)仿真,驗(yàn)