1、SiC肖特基勢(shì)壘二極管(SiC SBD)以其導(dǎo)通電阻低,開(kāi)關(guān)特性好等優(yōu)勢(shì)在功率系統(tǒng)中展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。
　　基于高 k介質(zhì)場(chǎng)板終端的4H-SiC SBD的二維仿真,設(shè)計(jì)并制備了采用半絕緣多晶硅(SIPOS)作為場(chǎng)板介質(zhì)的4H-SiC場(chǎng)板終端 SBD(FP_SBD)。所制備的1mm24H-SiC SBD比導(dǎo)通電阻為5.87mΩ?cm2,3.6V時(shí)電流達(dá)到4A。反向擊穿電壓為1200V,達(dá)到理論值的70％。實(shí)驗(yàn)結(jié)果證實(shí)長(zhǎng)度大于20

2、μm的 SIPOS場(chǎng)板終端能較好的發(fā)揮作用。并通過(guò)對(duì)二次鈍化前后的器件擊穿電壓進(jìn)行測(cè)試說(shuō)明聚酰亞胺(PI)能夠有效的提高器件的擊穿電壓。
　　設(shè)計(jì)了帶有 JTE終端的4H-SiC SBD器件。從仿真角度說(shuō)明減少離子注入次數(shù)(最少為一次注入)可以與多次離子注入(形成類似盒狀分布)達(dá)到同樣的效果,并且可以有效減小注入損傷,降低擊穿電壓對(duì)注入濃度的敏感度和降低注入能量。根據(jù)仿真結(jié)果制定了4H-SiC JTE SBD的實(shí)驗(yàn)方案,設(shè)計(jì)了實(shí)驗(yàn)