1、本文主要研究新穎低毒性UV-藍(lán)光發(fā)射Ag和ZnSe/ZnS量子點(diǎn)的合成、Ag量子點(diǎn)的抗菌性及白光發(fā)射材料的合成機(jī)理。在水溶液中用光還原法以DHLA作為配體合成新穎Ag量子點(diǎn)，通過熒光研究表明，DHLA-Ag量子點(diǎn)展現(xiàn)出強(qiáng)的藍(lán)光發(fā)射，峰位置為480nm。隨著光照時(shí)間從3h到67h，納米晶的最大發(fā)射強(qiáng)度可以提高15倍。利用菌增長率的方法，證實(shí)小尺寸的Ag量子點(diǎn)有很好的抑菌性。
　　同時(shí)，研究了一種低溫快速合成新穎UV-藍(lán)光發(fā)射手性Zn

2、Se/ZnS核殼量子點(diǎn)的簡易方法，該方法以D-青霉胺為穩(wěn)定劑，硫脲為硫源，將Zn(OAc)2、D-青霉胺和硫脲加入到制備的ZnSe量子點(diǎn)溶液中，進(jìn)行回流，溫度為100℃，在水溶液中合成高發(fā)光分散性較好的ZnSe/ZnS核殼量子點(diǎn)，量子產(chǎn)率約為40％，用紫外可見分光光度計(jì)、透射電子顯微鏡(TEM)、熒光分光光度計(jì)、X-射線衍射儀(XRD)、能譜儀(EDS)、X射線光電子能譜儀(XPS)、圓二色CD(circulardichroism)光譜

3、儀Chirascan和穩(wěn)態(tài)/瞬態(tài)熒光光譜儀FLS980對ZnSe/ZnS量子點(diǎn)進(jìn)行表征，研究其光學(xué)特性和晶體結(jié)構(gòu);還對合成ZnSe量子點(diǎn)的影響因素進(jìn)行探究（回流時(shí)間，回流溫度，前驅(qū)體溶液pH，前驅(qū)物摩爾比），以便于對合成ZnSe/ZnS核殼量子點(diǎn)有良好的核結(jié)構(gòu)，其有較低量子產(chǎn)率（約1％）。隨后，通過對ZnSe量子點(diǎn)加硫合成ZnSe/ZnS核殼量子點(diǎn)后，很好的修飾了ZnSe量子點(diǎn)的表面缺陷，其熒光強(qiáng)度增加了37倍左右。用有機(jī)物2-[2-羥