1、作為納米技術(shù)的一個(gè)重要組成部分，半導(dǎo)體量子點(diǎn)不但在基本物理問(wèn)題上具有獨(dú)特的性質(zhì)，而且在光電子器件方面也有巨大的潛在應(yīng)用。因而長(zhǎng)期以來(lái)，量子點(diǎn)的研究一直是半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的前沿和熱點(diǎn)。針對(duì)半導(dǎo)體量子點(diǎn)研究中的熱點(diǎn)問(wèn)題，本論文主要對(duì)ZnCdSe量子點(diǎn)的制備和表征進(jìn)行了研究，取得的主要結(jié)果如下：1．在Stranski-Krastanow(S-K)模式下制備了ZnCdSe量子點(diǎn)，在生長(zhǎng)量子點(diǎn)之前，先數(shù)值計(jì)算了系統(tǒng)的臨界厚度，然后在該臨界厚度值的指

2、導(dǎo)下進(jìn)行了量子點(diǎn)的制備。該方法為較小失配下S-K模式量子點(diǎn)的制備提供了途徑。另外，利用Volmer-Weber(V-W)模式在晶格匹配襯底上制備了ZnSeS量子點(diǎn)，并研究了量子點(diǎn)的形成過(guò)程。2．利用量子點(diǎn)在不同形成和熟化階段具有不同的光學(xué)性質(zhì)這一思想，通過(guò)測(cè)量ZnCdSe／ZnSe量子結(jié)構(gòu)的發(fā)光峰的位置與相對(duì)強(qiáng)度的變化，獲得了量子點(diǎn)的形成和熟化信息，從而既解決了一般金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(MOCVD)設(shè)備由于沒(méi)有原位監(jiān)測(cè)儀器而無(wú)法對(duì)量子