1、近二十年來，量子點成為最熱門的研究領域之一，Ⅳ-Ⅵ族半導體材料（如PbX，X=S，Se，Te）因為其較小的禁帶寬度（0.28~0.41eV）、更強的量子限域效應和覆蓋近紅外區(qū)域的吸收光譜等特性開始吸引更多人的注意。
　　本文提出了一種低成本制備PbS膠體量子點的方法。以FeS與H2SO4反應生成的廉價硫化氫（H2S）氣體為硫源，將其注入氧化鉛（PbO）、油酸（OA）與1-十八烯（ODE）混合形成的前驅物中，在低溫（60℃）下制得了

2、單分散的PbS膠體量子點。通過改變反應時間、溫度、配體量、注入H2S氣體的速度以及鉛硫比（Pb:S）等參數(shù)，我們優(yōu)化了合成方案，得到了粒徑小、尺寸分布集中的量子點。
　　我們使用紫外吸收光譜、X射線衍射儀等表征手段來表征PbS膠體量子點。我們發(fā)現(xiàn)隨反應時間、溫度和配體量的增大，量子點的尺寸變大；量子點的尺寸隨注入H2S氣體的速度和Pb:S的增大而迅速減小。
　　通過對實驗結果的分析，我們進一步研究了PbS膠體量子點的生長動力