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![一維三元光子晶體的帶隙擴(kuò)展方法研究.pdf_第1頁(yè)](https://static.zsdocx.com/FlexPaper/FileRoot/2019-3/14/18/3cfe505c-1011-40f7-bd60-55af6d534922/3cfe505c-1011-40f7-bd60-55af6d5349221.gif)
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1、擁有寬帶全向帶隙的光子晶體可以對(duì)任意偏振態(tài)的光和任何角度的入射都能呈現(xiàn)100%的反射。獲得寬帶的全向帶隙已成為研究人員追求和研究的目標(biāo)?,F(xiàn)有擴(kuò)展帶隙的方法有:增大組成材料的折射率比;利用啁啾變化的折射率或者材料厚度;利用不同厚度混排的光子晶體;利用多個(gè)光子晶體形成異質(zhì)的復(fù)合多層周期性結(jié)構(gòu)。
本文通過(guò)一維光子晶體色散關(guān)系表達(dá)式,推導(dǎo)出一維二元光子晶體禁帶的左右邊帶以及光子晶體禁帶帶寬的表達(dá)式,得出光子晶體的構(gòu)造對(duì)光子晶體色散的作
2、用。最后針對(duì)一維二元光子晶體帶隙的擴(kuò)展,本文提出了兩種擴(kuò)展帶隙的方法。
(1)對(duì)帶隙在可見(jiàn)光以及紅外光區(qū)域,嵌入了金屬層的一維三元光子晶體進(jìn)行了理論上的研究。研究發(fā)現(xiàn)該結(jié)構(gòu)的帶隙比由兩種介質(zhì)層組成的一維二元光子晶體以及由一種介質(zhì)層與一種金屬層組成的一維二元光子晶體的帶隙都要寬。
在垂直入射的情況,嵌入一層很薄的金屬層帶隙明顯擴(kuò)展。斜入射情況下帶隙同樣被擴(kuò)展,斜入射的情況TM極化的上邊帶波長(zhǎng)小于TE極化的上邊帶波長(zhǎng),T
3、M極化的下邊帶波長(zhǎng)大于TE極化的下邊帶波長(zhǎng),由TM模式垂直入射時(shí)的左邊帶波長(zhǎng)與TM模式θ=90°時(shí)的右邊帶決定全向帶隙。這一點(diǎn)與傳統(tǒng)的一維二元光子晶體反射鏡的全向帶隙完全由TM極化決定的結(jié)論相一致。
(2)利用傳輸矩陣方法研究了含超導(dǎo)材料的一維三元光子晶體的帶隙結(jié)構(gòu)和調(diào)控方法。研究發(fā)現(xiàn),隨超導(dǎo)材料層的厚度和入射角的變化,帶隙寬度和帶邊頻率均發(fā)生明顯改變。與一維二元光子晶體相比,嵌入超導(dǎo)材料層后形成的一維三元光子晶體的帶隙明顯展
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