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![復(fù)介電一維光子晶體的帶隙特性及其應(yīng)用.pdf_第1頁(yè)](https://static.zsdocx.com/FlexPaper/FileRoot/2019-3/16/16/b934316c-0121-4959-adf4-e063d61869f7/b934316c-0121-4959-adf4-e063d61869f71.gif)
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文檔簡(jiǎn)介
1、光子晶體是近年來(lái)出現(xiàn)的一種新的光學(xué)材料。它以光子禁帶的存在為主要特征,是由不同折射率的介質(zhì)周期性排列而成的人工結(jié)構(gòu),具有能夠抑制自發(fā)輻射和控制光傳輸?shù)忍匦?,在光通訊、微波通訊、集成光學(xué)等領(lǐng)域有重要的應(yīng)用前景。
近幾年來(lái),光子晶體已成為國(guó)內(nèi)外的研究熱點(diǎn)之一。
本論文的主要內(nèi)容如下:
1、系統(tǒng)的闡述了光子晶體的概念、特性、理論研究方法、應(yīng)用、制備方法。
2、從電磁波理論出發(fā),推導(dǎo)了光在
2、實(shí)介電和復(fù)介電光子晶體中傳播的傳輸矩陣公式。
3、討論了實(shí)介電和復(fù)介電一維光子晶體帶隙及影響因素。光學(xué)厚度對(duì)一維三元光子晶體的絕對(duì)帶寬和相對(duì)帶寬都有很大的影響。當(dāng)在介質(zhì)中摻入激活雜質(zhì)時(shí),光子帶隙邊緣就會(huì)出現(xiàn)較強(qiáng)的受激輻射放大。同時(shí),光子晶體的周期數(shù)和介電常量的虛部大小都會(huì)影響光子晶體的受激輻射。
4、研究了中間含缺陷的一維三元光子晶體和兩端含缺陷的一維二元光子晶體的帶隙及其應(yīng)用。中間含缺陷的一維光子晶體的禁帶
3、中出現(xiàn)兩透射峰,兩端含缺陷的一維二元光子晶體多處出現(xiàn)透射峰。缺陷層復(fù)介電常量的虛部對(duì)透射峰的透射率影響很大。當(dāng)缺陷層復(fù)介電常量的虛部為正時(shí),都表現(xiàn)為對(duì)透射峰的吸收;而當(dāng)缺陷層復(fù)介電常量的虛部為負(fù)時(shí),都表現(xiàn)為對(duì)透射峰先增益然后吸收。從而為光子晶體同時(shí)實(shí)現(xiàn)雙通道濾波器或多通道濾波器和放大器提供理論依據(jù)。
5、研究了復(fù)介電子一維二元雙周期光子晶體和一維二元與三元雙周期光子晶體的帶隙特性及其應(yīng)用。一維二元雙周期光子晶體的光子帶隙結(jié)
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