CdTe量子點(diǎn)修飾電極的魯米諾電化學(xué)發(fā)光傳感器研究.pdf_第1頁(yè)
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1、本文通過戊二醛和3-氨丙基三甲氧基硅烷交聯(lián)作為載體,將CdTe量子點(diǎn)固定于ITO玻璃上,制備得到CdTe量子點(diǎn)修飾電極,該修飾電極具有良好的電化學(xué)發(fā)光性能。對(duì)修飾固載量、電化學(xué)發(fā)光參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化,得到發(fā)光性能良好的CdTe量子點(diǎn)修飾電極。當(dāng)修飾電極中摻雜一定量的氧化石墨烯之后,修飾電極的電化學(xué)發(fā)光信號(hào)進(jìn)一步增強(qiáng)。采用掃描電鏡(SEM)、透射電鏡(TEM)、原子力顯微鏡(AFM)、電化學(xué)交流阻抗(EIS)等手段對(duì)兩種修飾電極進(jìn)行表征。將修飾

2、電極用于魯米諾電化學(xué)發(fā)光的研究,結(jié)果表明修飾電極不僅對(duì)魯米諾的電化學(xué)發(fā)光有明顯的增敏效果,并且能夠降低魯米諾的電化學(xué)發(fā)光的脈沖上限電位,避免更多副反應(yīng)的發(fā)生,同時(shí)拓寬魯米諾電化學(xué)發(fā)光的應(yīng)用pH范圍。同時(shí)研究發(fā)現(xiàn)ITO/AP TMS/GD/CdTe以及 ITO/APTMS/GO/GD/CdTe兩種修飾電極均具有良好的穩(wěn)定性和重現(xiàn)性。室溫保存18天,ITO/APTMS/GD/CdTe以及ITO/APTMS/GO/GD/CdTe修飾電極的發(fā)光

3、強(qiáng)度分別衰減4.3%和2.0%,對(duì)同一支電極ECL連續(xù)9次測(cè)定,以及對(duì)7支不同電極測(cè)定其ECL也做了考察,對(duì)于ITO/APTMS/GD/CdTe修飾電極其RSD分別為4.2%和5.6%,對(duì)于ITO/APTMS/GO/GD/CdTe修飾電極其RSD分別為3.7%和7.9%,表明修飾電極可提供滿意的穩(wěn)定性以及重現(xiàn)性。同時(shí)修飾電極對(duì)魯米諾以及過氧化氫較為靈敏,用于溶液中魯米諾以及過氧化氫的測(cè)定,對(duì)于ITO/APTMS/GD/CdTe修飾電極對(duì)

4、魯米諾以及過氧化氫檢出限分別為9.97′10-10 M和1.13′10-11M;ITO/APTMS/GO/GD/CdTe修飾電極對(duì)魯米諾以及過氧化氫檢出限分別為9.03′10-10M和2.45′10-10M。同時(shí)我們對(duì)CdTe量子點(diǎn)增敏魯米諾電化學(xué)發(fā)光的機(jī)理也做了探討,主要是涉及CdTe量子點(diǎn)和魯米諾之間的共振能量轉(zhuǎn)移。
  最后我們嘗試將CdTe量子點(diǎn)和魯米諾同時(shí)修飾到ITO電極上,初步實(shí)現(xiàn)發(fā)光試劑全固化,為制備性能良好的電化學(xué)

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