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![基于SiC的半導體氧氣傳感器研究.pdf_第1頁](https://static.zsdocx.com/FlexPaper/FileRoot/2019-3/14/18/f1996d62-9acb-423e-ab7c-67dc92c98974/f1996d62-9acb-423e-ab7c-67dc92c989741.gif)
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文檔簡介
1、隨著國家和社會對環(huán)境保護的要求越來越高,控制汽車尾氣污染日益被重視。為了控制汽車尾氣中排出有害成分,必須控制汽車發(fā)動機空燃比,檢測汽車尾氣中的氧濃度是控制空燃比的重要一環(huán)。傳統的ZrO2氧氣傳感需要參比氣體、成本高、體積大,不符合氣體傳感器集成化、微型化,多功能化的發(fā)展趨勢,市場呼喚新型氧傳感器。
SiC作為寬禁帶的材料,擁有良好的性能,能夠承受高溫、輻射和腐蝕等惡劣情況,備受關注。SiC氣體傳感器已有將近20年的發(fā)展,研
2、究表明SiC氣體傳感器器件能在500℃的高溫下工作,且響應時間短,已基本可以滿足汽車尾氣的應用。
在這種背影下,本文在國家工信部電子信息產業(yè)發(fā)展基金項目,“汽車動力系統傳感器關鍵技術研究及產業(yè)化”(工信部財[2008]355號)的資助下,對氣體傳感器的氣敏原理、同步碼分多址系統、制作工藝、性能檢測技術進行了研究。
本文分析了金屬氧化物的敏感機理,包括氧氣在金屬氧化物材料的吸附過程和金屬氧化物的點缺陷理論。重點
3、分析了本次實驗采用的敏感材料TiO2的氧敏性能。最終確定了采取不摻雜、Fe摻雜和W摻雜等三種TiO2敏感薄膜的傳感器方案。
設計并比較了電阻式和非電阻式SiC基氧氣傳感器,最后根據實驗的實際情況,選擇了SiC基電阻式薄膜氧氣傳感器結構,其敏感層材料為TiO2。
研究了半導體氣敏傳感器制作工藝,通過工藝實驗,確定各個環(huán)節(jié)的工藝參數,成功制作出了氧敏傳感器樣品。
搭建測試系統,對氣敏傳感器樣品進行了
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