1、隨著集成電路制造工藝的發(fā)展，器件特征尺寸進(jìn)入深亞微米層次，芯片集成度不斷提高。將處理器、存儲(chǔ)器、模擬電路、數(shù)字電路、接口電路甚至射頻電路集成到一個(gè)大規(guī)模的芯片上構(gòu)成SOC（系統(tǒng)級(jí)芯片）成為了今后集成電路設(shè)計(jì)的主要方向。為了降低成本，縮短產(chǎn)品上市周期，SOC（系統(tǒng)級(jí)芯片）通常采用IP復(fù)用的方法進(jìn)行設(shè)計(jì)，而嵌入式非易失性存儲(chǔ)器（NVM）IP作為SOC（系統(tǒng)級(jí)芯片）中必不可少的部分，其設(shè)計(jì)結(jié)果與芯片的整體功能實(shí)現(xiàn)與否密切相關(guān)。
　　針對(duì)

2、當(dāng)今SOC系統(tǒng)設(shè)計(jì)對(duì)嵌入式非易失性存儲(chǔ)器IP的需求現(xiàn)狀，本文主要研究了一種非易失性存儲(chǔ)器IP的設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)。本文首先對(duì)IP以及非易失性存儲(chǔ)器（NVM）進(jìn)行了一般性概述，詳細(xì)分析了非易失性存儲(chǔ)器擦除和寫(xiě)入操作的工作原理，在此基礎(chǔ)上提出了一種共用電荷泵以及包括EEPROM和FLASH兩種存儲(chǔ)單元的非易失性存儲(chǔ)器IP結(jié)構(gòu)。接著給出了該IP的整體框架并對(duì)IP中電平轉(zhuǎn)換電路模塊、存儲(chǔ)管柵電壓轉(zhuǎn)換電路模塊以及分時(shí)復(fù)用電荷泵電路模塊等關(guān)鍵模塊進(jìn)行電路設(shè)