1、多晶硅中的晶界,特別是受到金屬元素污染后,會(huì)大幅度降低多晶硅的性能,所以應(yīng)盡可能增大鑄錠中晶粒的尺寸。本論文運(yùn)用數(shù)值模擬軟件研究了坩堝內(nèi)流場(chǎng)的大小和分布,結(jié)合模擬的結(jié)果采用保溫法和籽晶法來(lái)制備大晶粒的多晶硅鑄錠。分析了晶體長(zhǎng)大的機(jī)理,對(duì)其性能進(jìn)行了測(cè)試并分析了晶粒大小對(duì)其電學(xué)性能的影響。
　　模擬結(jié)果表明,隨著電流大小和頻率的增加,坩堝內(nèi)的流速大小不斷變大,當(dāng)頻率達(dá)到50kHz后,再增大其頻率,對(duì)其流速的變化較小。硅熔體在熔池內(nèi)呈

2、交錯(cuò)回旋循環(huán)流動(dòng),熔池的上下層呈現(xiàn)兩套環(huán)流。在熔體的底部也就是固液界面處,其流速普遍較慢,但是也存在一個(gè)較小的強(qiáng)流區(qū)。該區(qū)域的流速大小會(huì)對(duì)晶體的長(zhǎng)大造成較大的影響。
　　控制保溫時(shí)間,制備出大晶粒的多晶硅鑄錠。對(duì)鑄錠進(jìn)行分析,發(fā)現(xiàn)隨著保溫時(shí)間的延長(zhǎng),晶粒逐漸增大,當(dāng)保溫時(shí)間為35min時(shí),鑄錠的平均晶?？梢赃_(dá)到5mm。使用掃描電鏡對(duì)試樣進(jìn)行觀察,發(fā)現(xiàn)在保溫5min的試樣中存在大量尺寸為2μm左右的白色小顆粒,由能譜分析可知其主要含