臥式HVPE生長GaN的計算機模擬.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、以GaN和SiC材料為代表的第三代半導(dǎo)體材料，具有帶隙寬(＞2.3eV)、導(dǎo)熱性好和電子漂移飽和速度高等優(yōu)點，能用于制作耐高溫、抗輻射、高頻、大功率的基器件；由于第三代半導(dǎo)體材料帶隙寬，因此還可以用來制作藍紫光器件。HVPE生長速率高?？捎糜贕aN厚膜的生長，從而制備GaN同質(zhì)襯底，從而大大提高GaN基光電器件的性能。本文重點是通過用FLUENT仿真，得到一個優(yōu)化的腔體結(jié)構(gòu)。
　　本次實驗的模擬采用的FLUENT軟件是一款用于計算

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