1、該文首先總結(jié)薄膜生長理論,這是接下來工作的基礎(chǔ).在理解薄膜生長理論的基礎(chǔ)上,我們建立了一個(gè)有較普遍應(yīng)用范圍的二維薄膜生長隨機(jī)模型,該模型考慮了粒子在擴(kuò)散過程中與周圍原子的相互作用以及基底溫度、基底晶格特征的影響,用以研究薄膜生長初期表面原子的形貌的特點(diǎn),并著重注意了粒子擴(kuò)散過程在薄膜生長中所扮演角色;我們的模型主要研究的是單原子在襯底表面上底沉積、擴(kuò)散和脫附過程,這里的襯底主要以六角形晶格為代表;我們還建立了用以計(jì)算擴(kuò)散和脫胎換骨附過程

2、所需的激活能的數(shù)學(xué)模型;通過計(jì)算,首先得到薄膜形貌對溫度的依賴關(guān)系;其次,還得到在不同生長溫度下,組成簇或島所得原子數(shù),并研究了該條件下粒子結(jié)合成島的最優(yōu)能量關(guān)系.最后,研究了初始生長過程中擴(kuò)散和脫附過程對簇或島形貌和組成特點(diǎn)的影響作用.通過對UHV/CVD方法外延生長鍺硅合金鍺在表面、次表面的偏聚現(xiàn)象合理解釋的基礎(chǔ)上,我們通過對描述二元合金薄膜表面原子狀態(tài)得統(tǒng)計(jì)熱動(dòng)力學(xué)模型修改,進(jìn)行數(shù)值模擬以研究表面GE的含量特征,得出的計(jì)算結(jié)果與實(shí)