1、導通電阻和擊穿電壓的矛盾是功率半導體器件的核心矛盾之一，超結技術的出現(xiàn)，打破了傳統(tǒng)功率器件導通電阻與擊穿電壓的極限關系，在功率集成電路中具有廣泛的應用前景。超結器件的耐壓機理完全不同于傳統(tǒng)功率器件，因此其耐壓理論的研究意義重大。但迄今為止，對超結器件的理論研究都集中在縱向結構，橫向超結結構的耐壓理論卻仍然沒有研究。為此，本文對常見的六種SOI橫向超結功率器件(電荷平衡結構、濃度非平衡結構、寬度非平衡結構、完全非平衡結構、濃度線性緩變結構

2、和寬度線性緩變結構)，通過求解三維泊松方程，分別建立其耐壓理論，為探討工作機理、優(yōu)化結構參數(shù)提供理論依據(jù)。本文的主要工作包括:
　　一、SOI橫向超結器件的表面勢場分布解析模型研究。首先，基于求解漂移區(qū)內的三維Poisson方程，建立了不同SOI橫向超結器件在完全耗盡和不完全耗盡情況下的表面電勢和表面電場分布解析模型，并借助三維半導體器件仿真軟件DAVINCI，對不同類型器件在完全耗盡和不完全耗盡情況下的表面電勢和電場分布進行了數(shù)

3、值模擬，并與解析結果進行了比較，二者的一致性證明了模型的正確性。
　　二、器件結構參數(shù)對表面勢場分布影響的研究。在上述模型的基礎上，結合三維半導體器件仿真軟件DAVINCI，深入研究了p/n區(qū)濃度、p/n區(qū)寬度、頂層硅厚度、埋氧層厚度以及漂移區(qū)長度等對各種SOI橫向超結器件的表面電勢和表面電場的影響，得到了各個器件參數(shù)變化時表面電勢和表面電場的變化規(guī)律，為超結結構的耐壓機理和結構參數(shù)的優(yōu)化設計提供指導。
　　三、SOI橫向超