1、阻性隨機(jī)存儲(chǔ)器（阻性存儲(chǔ)器）同時(shí)結(jié)合了Flash的高密度和DRAM的快速和耐用性特點(diǎn)，另外還具有低能耗、轉(zhuǎn)換速度快、微縮特性優(yōu)異（10nm以下）等突出優(yōu)勢(shì)，成為下一代存儲(chǔ)技術(shù)的代表之一。硅基阻性存儲(chǔ)器因?yàn)橹谱骱?jiǎn)單，可靠性高，與當(dāng)前的CMOS工藝相容等特點(diǎn)得到了廣泛關(guān)注。本文研究了Ag/a-silicon/p-silicon，Ag/SixC1-x/p-silicon兩種結(jié)構(gòu)阻性存儲(chǔ)器的變阻特性及其狀態(tài)轉(zhuǎn)換機(jī)制。
　　本文首先對(duì)半導(dǎo)體

2、存儲(chǔ)器的發(fā)展及研究現(xiàn)狀予以介紹，簡(jiǎn)單分析了各種類型半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的優(yōu)缺點(diǎn)及其應(yīng)用范圍，介紹了阻性存儲(chǔ)器及相關(guān)的幾種導(dǎo)通機(jī)制。接著介紹了阻變式非易失性存儲(chǔ)器（阻性存儲(chǔ)器）的主要性能參數(shù)，器件的制作過(guò)程，I-V特性曲線，傅里葉紅外光譜(FTIR)，電化學(xué)阻抗譜等分析手段。最后對(duì)兩種器件分別進(jìn)行討論，根據(jù)I-V特性曲線set/reset過(guò)程緩變的特性，提出器件的狀態(tài)轉(zhuǎn)換過(guò)程與細(xì)絲型導(dǎo)電通道的建立無(wú)關(guān)，而是滲流通道的建立過(guò)程。
　　兩類硅基