1、隨著納米技術(shù)的發(fā)展，納米功能器件的結(jié)構(gòu)變得更加復(fù)雜，因此作為制備納米材料的重要手段，復(fù)雜納米結(jié)構(gòu)模板在這方面具有非常明顯的優(yōu)勢。多孔陽極氧化鋁模板（Anodic Aluminum Oxide，以下簡稱AAO）由于其本身獨特且可控的結(jié)構(gòu)參數(shù)、制備工藝簡單、成本低等優(yōu)勢，是合成納米材料的重要硬模板之一。本文采用改變電解溶液及電解參數(shù)的方式，致力于研究在預(yù)存氧化膜覆蓋下進行鋁的后續(xù)陽極氧化，以制備有序AAO模板及孔徑變化的AAO模板。主要成果

2、如下:
　　 1.系統(tǒng)地研究了先分別在硫酸、草酸、丙二酸溶液里采用硬質(zhì)陽極氧化方法預(yù)氧化一層膜，然后鋁試樣繼續(xù)在草酸、丙二酸、草酸溶液中后續(xù)陽極氧化的規(guī)律。結(jié)果表明，預(yù)氧化膜不僅對后續(xù)硬質(zhì)陽極氧化條件工藝條件的設(shè)定產(chǎn)生重要影響，還擴寬了后續(xù)氧化電壓窗口。當預(yù)存膜與后續(xù)膜的結(jié)構(gòu)參數(shù)類似時，預(yù)存膜影響后續(xù)氧化膜的最初孔的成核及其有序度;反之，后續(xù)膜層的有序度及最初的成核受預(yù)存膜的影響不明顯。
　　 2.提出了一種新型快速兩步

3、法制備有序AAO膜的方法，第一步是在硫酸溶液進行硬質(zhì)陽極氧化（hard anodization，HA），在一個寬闊的電壓范圍內(nèi)(35-70 V)，可以在鋁表面快速形成有序的AAO膜層，之后在磷酸和鉻酸的混合溶液中除去AAO膜，在鋁基體表面留下高度有序的凹坑;第二步將具有高度有序凹坑的鋁試樣在草酸中進行溫和陽極氧化(mild anodization，MA)，在氧化初期，鋁試樣后續(xù)氧化表現(xiàn)為直接受凹坑誘導(dǎo)生長，隨著時間延長，草酸溫和陽極氧化

4、的電壓對后續(xù)氧化膜層的晶胞有序度影響明顯，由此驗證了草酸最佳的溫和陽極氧化電壓是40 V左右。這種通過結(jié)合HA和MA改良的兩步法，不僅縮短了相對于傳統(tǒng)兩步法中的第一步的時間，在大范圍面積中保持了良好的晶胞有序度，并且避免了在HA條件下形成的AAO中影響實際應(yīng)用的高機械應(yīng)力，最后系統(tǒng)地探討了凹坑尺寸與后續(xù)陽極氧化膜晶胞有序度的關(guān)系。
　　 3.通過不同的陽極氧化方式以獲取孔徑可變AAO模板。第一，在草酸中進行電壓階梯變化的陽極氧化