1、鋁電解電容器具有容量大、工作電壓高、價(jià)格低廉等優(yōu)點(diǎn)，是各類電容器產(chǎn)品中需求量最大的一種，被廣泛地應(yīng)用于各種電子整機(jī)系統(tǒng)中。 提高鋁電極箔比容水平是實(shí)現(xiàn)鋁電解電容器小型化的關(guān)鍵技術(shù)。本論文從提高鋁氧化膜介電常數(shù)的角度出發(fā)，綜合國(guó)內(nèi)外高介電常數(shù)復(fù)合氧化膜的發(fā)展?fàn)顩r，提出了三種生長(zhǎng)高介電常數(shù)復(fù)合氧化膜的制備技術(shù)。詳細(xì)研究了制備過(guò)程中工藝參數(shù)對(duì)鋁電極箔比容提高率的影響，并借助于各種分析手段對(duì)復(fù)合氧化膜的結(jié)構(gòu)和成分進(jìn)行分析。論文的主要內(nèi)容

2、及創(chuàng)新性研究歸納如下： 1、研究了sol-gel技術(shù)在制備高介電常數(shù)復(fù)合氧化膜中的應(yīng)用。以鈦酸丁酯作前驅(qū)物，乙酰丙酮作螯合劑制備穩(wěn)定的TiO2溶膠。通過(guò)說(shuō)明溶膠的制備機(jī)理及各成分對(duì)溶膠穩(wěn)定性的作用，得到制備穩(wěn)定TiO2溶膠的優(yōu)化原料配比。將鋁腐蝕箔在此穩(wěn)定的溶膠中浸漬處理，高溫?zé)崽幚砗髮⑵潢?yáng)極氧化，得到復(fù)合氧化膜。借助于FT-IR、XPS、AFM等分析手段對(duì)復(fù)合氧化膜的成分和結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析，并研究了sol-gel技術(shù)的主要工藝參

3、數(shù)對(duì)鋁陽(yáng)極氧化膜電性能的影響。結(jié)果表明：sol-gel技術(shù)在鋁腐蝕箔表面成功制備出了高介電常數(shù)的Al-Ti復(fù)合氧化膜；經(jīng)TiO2溶膠處理過(guò)的鋁腐蝕箔陽(yáng)極氧化后，復(fù)合氧化膜使不同陽(yáng)極氧化電壓下的化成箔比容均有不同程度的提高，而且陽(yáng)極氧化過(guò)程變短，節(jié)約了電能；但是耐電壓特性變差。溶膠浸漬時(shí)間和熱處理溫度是影響化成箔比容提高的主要因素。 2、利用陰極電沉積技術(shù)在鋁箔表面制備高介電常數(shù)復(fù)合氧化膜。以硫酸鈦、過(guò)氧化氫、甲醇為原料，通過(guò)陰極

4、電沉積在鋁光箔表面沉積一層鈦的過(guò)氧化絡(luò)合物，然后通過(guò)熱處理和陽(yáng)極氧化等后續(xù)工藝，在鋁箔表面得到復(fù)合氧化膜。基于鈦的過(guò)氧化絡(luò)合物制備機(jī)理，通過(guò)多次的實(shí)驗(yàn)探索，得到了陰極電沉積用沉積體系的最佳摩爾配比。利用FT-IR、XPS、AFM等分析手段對(duì)用陰極電沉積技術(shù)在鋁光箔表面制備的陽(yáng)極氧化膜的結(jié)構(gòu)和成分進(jìn)行了分析，并研究了陰極電沉積過(guò)程中的電沉積時(shí)間、電沉積溫度、溶液濃度、熱處理溫度等工藝參數(shù)對(duì)化成箔比容提高率的影響。結(jié)果表明：陰極電沉積技術(shù)在

5、鋁箔表面成功制備了高介電常數(shù)的Al-Ti復(fù)合氧化膜，在100Vf下，化成箔比容提高13％。電沉積溫度是影響化成箔比容提高的重要因素。 3、探索性研究了電泳沉積技術(shù)(TiO2、BaTiO3)在提高鋁電極箔比容中的應(yīng)用。以納米TiO2、BaTiO3粉體為原料，通過(guò)對(duì)相應(yīng)懸浮體系的選擇制備了高度穩(wěn)定的TiO2、BaTiO3懸浮體系，然后通過(guò)電泳沉積在鋁箔表面沉積了TiO2、BaTiO3薄膜，再通過(guò)熱處理和陽(yáng)極氧化等后續(xù)工藝，在鋁箔表面