1、陽(yáng)極鋁箔是生產(chǎn)高壓鋁電解電容器的關(guān)鍵材料，經(jīng)過多年發(fā)展，國(guó)產(chǎn)高壓陽(yáng)極鋁箔的立方織構(gòu)占有率已能穩(wěn)定在95％以上，但其在環(huán)保型鹽酸-硫酸體系中的電化學(xué)腐蝕擴(kuò)面效果差。為了提高高壓鋁箔的擴(kuò)面效果，開發(fā)適應(yīng)于鹽酸-硫酸腐蝕體系的鋁箔，本文在研究微量Ga對(duì)高純鋁電化學(xué)性能影響的基礎(chǔ)上，利用光學(xué)顯微鏡、掃描電鏡和電化學(xué)工作站研究了微量Ga對(duì)鋁箔立方織構(gòu)強(qiáng)度及腐蝕發(fā)孔性能的影響。主要結(jié)果如下:
　　 (1)微量Ga能提高高純鋁在含氯離子溶液中

2、的電化學(xué)活性，即使其含量?jī)H40ppm。500℃退火1h后，相對(duì)高純鋁，Al-40ppmGa的開路電位向負(fù)電位方向移動(dòng)約0.1～0.15V、點(diǎn)蝕電位負(fù)移約0.12V;但其活化效果不及0.5％Ga，同時(shí)受熱處理工藝影響。
　　 (2)微量Ga不會(huì)阻礙強(qiáng)立方織構(gòu)的形成，即使其含量接近80ppm。Ga含量低于80ppm時(shí)，含Ga鋁箔的立方織構(gòu)強(qiáng)度與相同工藝制備的常規(guī)鋁箔的相當(dāng)甚至更強(qiáng);其中，Ga含量為20ppm時(shí)，鋁箔的立方織構(gòu)占有率超

3、過95％，此后隨Ga含量增加，立方織構(gòu)占有率有所起伏，但都在90％以上。
　　 (3)成品退火后，Ga會(huì)在鋁箔表面富集，進(jìn)而提高鋁箔對(duì)氯離子的敏感性及改善其在HCl-H2SO4體系中的腐蝕發(fā)孔性能。相對(duì)常規(guī)鋁箔，在T≈540℃、t≤2h工藝區(qū)間退火的含Ga鋁箔的點(diǎn)蝕電位負(fù)移至約-0.855V，腐蝕區(qū)面積比提高至95％～98％。其中，Ga含量20ppm時(shí)，鋁箔表面蝕坑眾多、孔徑適中、分布較均勻;而Ga含量增加至約80ppm時(shí)，腐蝕