1、高靜電容量的鋁電解電容器,是目前廣泛應用于電子元件的電容器之一,其靜電容量的大小主要由陽極鋁箔的電容大小決定,當前主要是通過提高高壓陽極鋁箔表面積來增加電容。提高陽極鋁箔立方織構含量,改善組織結構是獲得高比電容的前提條件。優(yōu)化腐蝕工藝,擴大陽極箔表面積,高壓箔比電容會大幅度提高。本論文主要是通過對中間退火工藝和成品再結晶退火工藝的研究,提高高壓箔立方織構含量；通過研究直流腐蝕發(fā)孔和擴孔,獲得高擴面倍率的腐蝕箔。為完全實現高壓箔的國產化提

2、供理論和技術支持。
　　 采用光學顯微鏡(OM)、X射線衍射(XRD)、背散射電子衍射(EBSD)、掃描電子顯微鏡(SEM),交流阻抗譜(EIS)等分析測試手段,系統(tǒng)研究了高壓箔在退火過程中組織和織構的演變,及退火工藝對性能的影響,優(yōu)化了鋁箔退火工藝；研究了腐蝕條件對高壓箔腐蝕性能的影響,獲得了適合高壓箔直流腐蝕的實驗參數。
　　 實驗表明,冷軋板中間退火時,隨退火溫度的升高,平均晶粒變大,再結晶速率增加。冷軋板在350

3、℃／2h退火后立方織構占有量為20％,組織均勻,變形抗力低,是較合適的中間退火參數。冷軋箔初始織構為S、銅織構和約10％的立方織構時,最終再結晶退火后能得到高強度的立方織構。
　　 研究表明,冷軋箔成品再結晶退火立方織構含量與退火溫度、加熱時間和退火方式有關。延長退火時間,提高退火溫度,都有利于立方織構的提高。240℃／1h+540℃／1h退火時,立方織構能達到97％以上,同時力學和腐蝕性能也滿足要求。
　　 討論了立方

4、織構演變過程和形成機理,認為立方織構是在不連續(xù)再結晶過程中由S和銅型織構演變而來。立方織構形成是定向形核和擇優(yōu)生長的綜合結果。
　　 腐蝕發(fā)孔實驗表明:溫度對電容影響最大,H2SO4濃度和腐蝕時間影響次之,電流密度影響最小。較好的發(fā)孔工藝參數為:腐蝕液1mol／LHCl+2mol／LH2SO4,溫度80℃,電流密度0.6A／cm2,時間60s。
　　 腐蝕擴孔實驗表明:腐蝕液中Al3+濃度主要影響蝕孔密度,對腐蝕表面積影