1、由于具有較高的折射率、獨特的光學和電學特性、大的長徑比以及極低的表面粗糙度，化學合成的半導體納米線可作為納米光子學回路的基本元件。半導體納米線也是一種優(yōu)異的納米激光器材料，因為它能同時作為增益介質(zhì)、波導和諧振腔。這種納米級的相干光源有望成為未來的集成光電器件中不可或缺的一部分。為了使納米線激光器在實用化上更進一步，對其波長和模式進行控制就顯得尤為重要。本論文基于一種特殊的帶隙漸變的半導體納米線，實現(xiàn)了出射波長和模式的寬范圍控制。

2、　　本論文第一章綜述了半導體納米線的研究背景，并著重介紹了半導體納米線激光器的研究進展和對其波長進行調(diào)控所取得的研究成果。
　　本論文第二章首先介紹了漸變帶隙硫硒化鎘納米線的制備，然后介紹了半導體納米線激光器波長和模式可控變化方法。通過移動源-VLS法，我們生長出光學質(zhì)量良好、帶隙過渡較大的硫硒化鎘納米線。根據(jù)局域微區(qū)熒光光譜，我們在單根漸變帶隙硫硒化鎘納米線中實現(xiàn)了寬范圍的波長控制。通過正向截斷納米線（從硒化鎘端到硫化鎘端），激

3、射波長變化范圍可達到119nm。此外，通過反向截斷過程（從硫化鎘端到硒化鎘端），我們可以控制納米線激光器的自由光譜范圍和模式。有趣的是，通過不斷截短納米線，我們可以獲得單模激光輸出。最后，我們仔細研究了這種特殊納米線的增益特性。
　　本論文第三章簡單介紹了引入可控散射點來控制漸變帶隙納米線的出射波長。用一根納米帶與目標納米線相交，交點即為散射點。納米線寬帶隙部分的出射波長由散射點附近的增益介質(zhì)的帶隙決定。
　　本論文第四章對