p-μc-SiC:H薄膜材料的研究及其在太陽電池上的應用.pdf_第1頁
已閱讀1頁,還剩70頁未讀, 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內容提供方,若內容存在侵權,請進行舉報或認領

文檔簡介

1、硅薄膜材料和電池研究已經成為熱點,開發(fā)低成本和高效率的太陽電池是光伏研究的目標。非晶硅薄膜太陽電池和微晶硅薄膜太陽電池都具有各自顯著的優(yōu)勢,在本論文中研究制備了一種適用于兩種太陽電池的窗口層材料,即P型微晶硅碳(p-μc-SiC:H)薄膜材料。p-μc-SiC:H薄膜材料具有高電導率、寬光學帶隙以及具備一定晶化率的優(yōu)點,用其作為窗口層的非晶硅太陽電池在保持了高吸收系數(shù)的同時,有具有良好的電學特性,提高了非晶硅太陽電池的短路電流密度;對于

2、微晶硅太陽電池,p-μc-SiC:H薄膜材料本身的晶化率使其與本征層更完美的匹配,改善了電池的性能。此外,柔性襯底太陽電池作為薄膜太陽電池的一個新品種,受到越來越多的關注。本文中采用了半透明和全透明的有機材料作為襯底材料,制備了柔性襯底的倒結構和正結構太陽電池。
   論文的核心內容包括以下兩部分:
   1.p-μc-SiC:H薄膜材料的制備和性能研究
   論文分別從CH4的摻雜量、硅烷濃度(氫稀釋率)、襯底

3、溫度、反應氣壓和輝光功率密度的角度分析了這些反應參數(shù)對材料暗態(tài)電導率、光學帶隙以及材料晶化率的影響,比較詳盡的分析了材料各個沉積參數(shù)的作用原理和相互作用,從而制備出了厚度在70nm左右,暗態(tài)電導率達到0.1S/cm,光學帶隙超過2.1eV的p-μc-SiC:H薄膜材料。
   2.柔性襯底太陽電池的制備和p-μc-SiC:H薄膜材料的應用
   論文中論述了p-μc-SiC:H窗口層的硅烷濃度對非晶硅太陽電池的影響。采用

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網頁內容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論