1、多層陶瓷電容器(MLCC)是重要的電子元件，幾乎可以應用于所有的電子工業(yè)中。由于具有很高的介電常數(shù)和長壽命的絕緣特性，鈦酸鋇(BaTiO3)是應用最廣泛的鈣鈦礦鐵電體，因此，鈦酸鋇基陶瓷材料一直是MLCC研究的焦點。但鈦酸鋇的居里點只有～130℃，限制了它在XnR瓷料中工作溫度上限，無法滿足更高溫度介電性能的穩(wěn)定性要求。
　　 本論文針對上述問題，以(1-x)BaTiO3-xBi(Mg1/2Ti1/2)O3(BT-BMT)體系為

2、研究對象，重點探索(1-x)BT-xBMT(x=0.01～0.60)陶瓷的結構、介電性能和弛豫現(xiàn)象。研究發(fā)現(xiàn)，BMT的加入使BT基陶瓷表現(xiàn)出明顯的頻率色散和彌散相變特征，介電常數(shù)峰被壓低，介溫譜的峰變得更為平坦，但BMT在BT中固溶度僅為7mol％。介溫曲線表明，名義組成為0.85BT-0.15BMT的Tm較低，溫度穩(wěn)定性好，具有較好的可調性，經(jīng)摻雜改性有可能應用于XnR型MLCC材料。
　　 Nb2O5、Co2O3摻雜BT體系

3、能有效的增強體系的溫度穩(wěn)定性，但是工藝的不同會導致陶瓷微觀結構的變化。本論文著重討論了Nb、Co摻雜BT-BMT體系中殼芯結構形成的機理。兩種不同添加摻雜劑順序的工藝導致不同的微觀結構，但是都能得到符合X8R要求的陶瓷介質。介電性能為：介電常數(shù)～1000，損耗小于1.5％，容溫變化率≤±15％的溫度范圍-55～155℃。
　　 通過BT基殼-芯結構和介電性能的關系，設計并合成一種多殼層結構陶瓷，以拓寬體系容溫變化率≤±15％的溫