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![GaAs PHEMT單刀九擲射頻開關芯片的設計.pdf_第1頁](https://static.zsdocx.com/FlexPaper/FileRoot/2019-3/14/18/03775c10-d9b5-4f78-a93b-ab09c8203722/03775c10-d9b5-4f78-a93b-ab09c82037221.gif)
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文檔簡介
1、本文描述了一個基于0.5μm GaAs PHEMT工藝的多波段射頻開關芯片的設計實例。該開關為單刀九擲(SP9T),可應用于無線通信用戶終端收發(fā)機前端,能夠同時兼容第二代移動通信系統(tǒng)(2G)的GSM網絡和第三代移動通信系統(tǒng)(3G)的TD—SCDMA網絡以及UMTS網絡共七個通信波段的通訊要求。在芯片的設計中引用了一種升壓驅動電路,將晶體管導通態(tài)的控制電壓從3V提高到了7V以上,極大地改善了該射頻開關的線性度。流片后的測試結果所有通路的含
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