基于GaAs PHEMT工藝的射頻及邏輯電路的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn).pdf_第1頁
已閱讀1頁，還剩70頁未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

1、近年來，隨著半導(dǎo)體工藝的飛速發(fā)展，基于GaAs PHEMT工藝的單片微波集成電路(MMIC)已經(jīng)成為微波領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。在衛(wèi)星通訊、雷達(dá)系統(tǒng)、測試系統(tǒng)和導(dǎo)航系統(tǒng)中，低噪聲放大器是不可或缺的部分，低噪聲放大器的噪聲性能、增益和線性度等指標(biāo)直接影響了接收機(jī)的性能;基于GaAs PHEMT結(jié)構(gòu)的邏輯串并轉(zhuǎn)換電路集成在T/R組件中，可以減小整個(gè)T/R組件的尺寸，并且提高其易用性和經(jīng)濟(jì)性。本文基于GaAs PHEMT工藝設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了兩種低噪聲放大

2、器和用于T/R組件的串并轉(zhuǎn)換邏輯電路，論文主要工作如下:
　　第一、第二章介紹了低噪聲放大器與T/R邏輯控制電路的研究背景與發(fā)展現(xiàn)狀，以及噪聲及低噪聲放大器的基本理論。
　　第三章介紹了一款S波段低噪聲放大器的設(shè)計(jì)流程，完成了整體電路的原理圖和版圖的優(yōu)化仿真。最后對芯片進(jìn)行了流片測試，放大器實(shí)測增益＞31dB，噪聲系數(shù)＜0.7dB，電流30mA。
　　第四章介紹了一款18-40GHz寬帶低噪聲放大器的設(shè)計(jì)過程，完成了整

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論