鑭離子和次甲基藍(lán)摻雜對(duì)KDP晶體生長及晶體質(zhì)量的影響.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、KDP(KH2P04)晶體是一種性能優(yōu)良的非線性光學(xué)晶體材料,因其獨(dú)特的物理性質(zhì)而成為唯一可用于激光核聚變工程的非線性晶體。綜合考慮其電光性能,特大尺寸、高質(zhì)量的KDP晶體成為大功率激光器中主要光學(xué)晶體材料之一。因此通過改變KDP晶體生長條件和利用添加劑生長大尺寸高光學(xué)質(zhì)量的KDP晶體成為國內(nèi)外研究的熱點(diǎn)。
   論文介紹了KDP晶體的結(jié)構(gòu)、性質(zhì)和用途,并對(duì)無機(jī)陰離子、金屬陽離子和有機(jī)添加劑的國內(nèi)外研究歷史與現(xiàn)狀進(jìn)行了詳細(xì)的闡述

2、,總結(jié)探討了添加劑對(duì)生長KDP晶體的影響機(jī)理。
   本論文通過改變KDP晶體生長溶液的飽和點(diǎn)和pH值,利用溶液降溫法進(jìn)行KDP晶體生長實(shí)驗(yàn),探討了生長KDP晶體最佳飽和點(diǎn)和pH值,然后在此基礎(chǔ)上通過摻雜稀土離子(鑭離子)和有機(jī)染料(次甲基藍(lán))進(jìn)行了KDP晶體生長實(shí)驗(yàn)。
   通過對(duì)未摻雜KDP晶體和摻雜La3+生長的KDP晶體對(duì)比研究發(fā)現(xiàn),低濃度的La3+摻雜,可以提高了生長溶液的穩(wěn)定性,減少晶體中缺陷;用紫外/可見分

3、光光度計(jì)在200~800nm波段對(duì)樣品柱區(qū)做了透過率測定,發(fā)現(xiàn)低濃度(La3+≤4×l0-3mol/L)摻雜可以提高KDP晶體在紫外波段的透過率,改善晶體的質(zhì)量。
   對(duì)于次甲基藍(lán)摻雜生長KDP晶體,摻雜濃度較大時(shí),溶液穩(wěn)定性降低;隨著次甲基藍(lán)摻雜濃度的增加,晶體柱面區(qū)域金屬元素含量逐漸降低,說明加入次甲基藍(lán)染料能夠有效地抑制金屬離子FC3+、Cr3+、AI3+在晶體柱面的吸附,減弱金屬離子對(duì)KDP晶體柱面生長的影響;對(duì)摻雜生

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