1、隨著信息時代的到來，作為下一代最有前景的非易失性存儲器之一，相變存儲器在近年來得到了飛速發(fā)展，以其獨(dú)有的優(yōu)勢不斷對目前的主流存儲器技術(shù)發(fā)出挑戰(zhàn)。相變存儲器的核心就是由大量單元組成的存儲陣列，然而熱串?dāng)_問題是得到高密度高容量的相變存儲器陣列的瓶頸。目前尚沒有有效的手段對相變存儲器陣列中由熱串?dāng)_引起的溫度變化進(jìn)行測試，也幾乎沒有對于將相變存儲器的溫度特性應(yīng)用于溫度測試的研究。另外，對于相變存儲器陣列中的熱串?dāng)_引起的溫度分布研究也較少。本論文

2、針對這些問題，主要圍繞相變存儲器陣列進(jìn)行研究。
　　本論文最主要的工作是研究相變存儲器的溫度特性及其應(yīng)用。通過建模的方法對相變存儲器的溫度特性進(jìn)行研究，提出了三種相變存儲器單元的性能與溫度的線性關(guān)系表征方法，并通過設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)對相變存儲器的線性溫度特性進(jìn)行了驗(yàn)證，該特性可以被用于相變存儲器陣列中局部溫度的無傳感器實(shí)時測量，為熱串?dāng)_的測試奠定了基礎(chǔ)。基于該想法，本論文進(jìn)一步提出了一種相變存儲器熱串?dāng)_測試方法。另外，為了能夠方便地對相變存