VDMOS功率場效應管外延材料的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、國內功率VDMOS管用外延片現(xiàn)在主要采用6英寸拋光片，但一直以來我國生產的6英寸厚層外延片質量并不能完全滿足VDMOS生產的需要，主要是隨著襯底尺寸、外延厚度的增長，外延厚度、電阻率一致性以及外延過渡區(qū)等諸多問題無法滿足要求；同時外延層中的微缺陷和重金屬雜質沾污也是VDMOS管失效的主要原因之一。
　　 本課題從外延生長的機理進行分析重摻雜（重摻As為例）襯底的自摻雜現(xiàn)象，通過實際、有效、簡單的工藝流程來解決外延層一致性差的問題

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