1、在大面積平面基片磁控濺射鍍膜過程中，基片表面溫度對入射粒子在基片表面的黏附、遷移、成核和結晶等有著非常重要的影響，改善基片溫度的均勻性成為高附加值薄膜制備中的一個關鍵問題。討論了大面積平面基片磁控濺射鍍膜設備加熱系統(tǒng)在加熱不同溫度時基片的溫度均勻性，從而提出了制備高質量大平面玻璃薄膜過程中加熱基片的最佳工藝參數。
　　論文的實驗方法是采用對基片和加熱器的典型點測溫，即利用熱電偶對加熱器及其對應的基片表面典型點進行測溫，基片表面的五

2、組典型點溫度達到穩(wěn)定時記錄加熱器和基片表面典型點溫度數據。利用實驗中加熱器的設定溫度，基于ANSYS有限元軟件對大面積平板式磁控濺射鍍膜設備的預熱室和濺射室進行溫度場模擬。其模擬結果與實驗測量記錄接近，驗證了模型的正確性，可以指導實驗鍍膜加熱器的溫度設定。模擬及實驗表明:當基片溫度設定和加熱到200℃時，溫度均勻性較好。論文做了溫度場模擬值與實驗測量值的誤差分析，指出有限元模擬前的理想假設，模擬時加熱器的實際模型簡化以及熱電偶的測量誤差

3、造成了模擬值與實驗測量值的偏離。
　　本文利用ANSYS軟件二次開發(fā)模塊并基于基片表面溫度均勻性，針對大面積平面基片磁控濺射鍍膜設備加熱器的功率進行了優(yōu)化設計，再將優(yōu)化功率后所得到的加熱器的溫度設置到實驗鍍膜設備中。優(yōu)化和實驗結果表明:當大面積平面磁控濺射鍍膜設備加熱系統(tǒng)的基片溫度被設定和加熱到200℃時，基片的溫度均勻性最好，此時優(yōu)化后的加熱器設置溫度為上加熱器溫度234℃，中加熱器溫度230℃，下加熱器溫度233℃。實際應用表