1、基于應變硅的金屬氧化物場效應晶體管是下一代CMOS技術(shù)非常有希望的候選者并且在65nm技術(shù)中已經(jīng)開始應用。對于電子遷移率在這些異質(zhì)結(jié)中的提升已經(jīng)研究得比較清楚，由于價帶的各向異性和非極化特性，空穴遷移率增強的機理還沒有象電子遷移率研究得那樣透徹。 本文利用K·P模型對以（001）襯底的面內(nèi)雙軸張應變硅和沿<110>方向的縱向單軸壓應力應變硅的能帶結(jié)構(gòu)進行了詳細的研究，首先分析了靜水應力對能帶結(jié)構(gòu)的影響，同時給出了價帶由于剪應力引

2、起的扭曲和并對沿各個方向的有效質(zhì)量進行了計算，然后給出了態(tài)密度有效質(zhì)量，這在器件建模中有很大的應用。在能帶計算的基礎(chǔ)上，進行了遷移率的研究，并給出了在應力比較?。ㄐ∮?GPa）時雙軸張應變和單軸壓應變下的遷移率模型。結(jié)果證明在比較小的應力下雙軸張應變并沒有提升遷移率，而在單軸情況下卻有比較大的提升。建立了應變硅散射模型，并且引入了自洽求解薛定諤方程和泊松方程的方法。利用基于這種方法的計算結(jié)果，對垂直場和應力的影響進一步進行了分析。最后，