1、LTE被稱為3.9G或“準(zhǔn)4G”，采用OFDM和MIMO技術(shù)作為物理層核心技術(shù)，并首次在無(wú)線通信中采用了高階的64QAM調(diào)制方式，大幅度提高了無(wú)線通信系統(tǒng)的傳輸速率。本文基于“TD-LTE無(wú)線綜合測(cè)試儀表開(kāi)發(fā)”項(xiàng)目，對(duì)TD-LTE系統(tǒng)EVM（誤差矢量幅度）測(cè)量相關(guān)理論和實(shí)現(xiàn)方法進(jìn)行研究。
　　 EVM表示理想無(wú)誤差基準(zhǔn)信號(hào)與實(shí)際發(fā)射信號(hào)的向量差，用來(lái)綜合衡量系統(tǒng)的調(diào)制質(zhì)量。在TD-LTE系統(tǒng)中，數(shù)字信號(hào)的頻帶傳輸是發(fā)送端物理層的

2、基帶信號(hào)先經(jīng)過(guò)正交調(diào)制，然后通過(guò)無(wú)線通信信道傳輸?shù)浇邮斩?，再在接收端進(jìn)行相應(yīng)解調(diào)后恢復(fù)出原始的基帶信號(hào)。在這個(gè)過(guò)程中，調(diào)制器產(chǎn)生的調(diào)制誤差、射頻器件質(zhì)量和鎖相環(huán)噪聲、熱噪聲以及調(diào)制器設(shè)計(jì)等都會(huì)使調(diào)制信號(hào)產(chǎn)生誤差，故EVM值測(cè)量在TD-LTE系統(tǒng)設(shè)計(jì)中非常重要。
　　 EVM測(cè)量是基于相關(guān)物理層信道/信號(hào)進(jìn)行的，本文首先對(duì)TD-LTE物理層關(guān)鍵技術(shù)作了一些介紹和分析，并給出了TD-LTE物理層上下行信道流程。為提高EVM測(cè)量精度，

3、更精準(zhǔn)反應(yīng)系統(tǒng)調(diào)制性能，需要在接收到射頻信號(hào)后對(duì)測(cè)量信號(hào)進(jìn)行一系列校正。EVM測(cè)量信號(hào)校正涉及到DC直流偏差校正，時(shí)/頻偏校正（包括定時(shí)同步和頻率同步），I/Q不平衡校正等模塊。本文對(duì)測(cè)量信號(hào)的校正原理做了詳細(xì)分析，根據(jù)誤差產(chǎn)生的因素，通過(guò)相應(yīng)的算法進(jìn)行補(bǔ)償。TD-LTE系統(tǒng)采用直接變頻模式，會(huì)產(chǎn)生載波泄漏。這種載波泄漏由兩個(gè)方面引起，一是由于內(nèi)部元件和I/Q調(diào)制器之間的寄生耦合;二是DBM內(nèi)部的兩個(gè)正交的混頻本振正交相位之間的增益不平

4、衡和相位不平衡。如果在模擬I/Q調(diào)制器的I和Q路分別產(chǎn)生大小相等，方向相反的補(bǔ)償直流偏移電壓，就可以消除I/Q直流偏移。對(duì)于時(shí)/頻偏移，運(yùn)用ML算法進(jìn)行時(shí)/頻同步估計(jì)，得到定時(shí)偏移△t和頻率偏移△f。I/Q不平衡采用差分濾波的方法分別為I、Q兩路幅度差異β和相位差異θ進(jìn)行估計(jì)和補(bǔ)償。
　　 基于項(xiàng)目實(shí)現(xiàn)，本文給出了PUSCH和PRACH的EVM測(cè)量實(shí)現(xiàn)方案，并詳細(xì)給出了PUSCH EVM測(cè)量實(shí)現(xiàn)流程。對(duì)實(shí)現(xiàn)方案的EVM測(cè)量流程進(jìn)