感應(yīng)耦合等離子體(ICP)光源放電模擬的研究.pdf_第1頁
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1、感應(yīng)耦合等離子體光源近些年來由于高光效、長(zhǎng)壽命等特點(diǎn)而備受關(guān)注。本文主要研究了磁芯內(nèi)置式、磁芯外置式以及線圈繞制式三種主要的感應(yīng)耦合等離子體光源。通過建立模型,在實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證的前提下深入了解等離子體參數(shù)在放電腔中的分布,分析放電物理過程,研究不同條件對(duì)發(fā)光效率的影響,比較三種光源的特性。
  論文首先建立了磁芯內(nèi)置式小功率Ar-Hg感應(yīng)耦合等離子體光源的一維自洽模型,并用發(fā)射光譜法對(duì)模型進(jìn)行了驗(yàn)證。該模型包含了電磁場(chǎng)輪廓和等離子體碰撞

2、輻射模型,并考慮了汞原子的高激發(fā)態(tài)能級(jí)。利用模型,分析了不同緩沖氣壓和不同頻率對(duì)共振態(tài)汞原子濃度的影響。當(dāng)緩沖氣體壓強(qiáng)升高時(shí),電子濃度和電子溫度隨之減小。模擬結(jié)果表明,為了獲得更高的發(fā)光效率,最佳氬氣壓在0.2Torr-0.4Torr之間。
  針對(duì)磁芯外置式感應(yīng)耦合等離子體光源電場(chǎng)非軸對(duì)稱的分布特性,論文建立了直角坐標(biāo)系下二維模型。該模型考慮了氣體溫度的分布,在實(shí)驗(yàn)測(cè)量電場(chǎng)輪廓的基礎(chǔ)上,模擬高激發(fā)態(tài)汞原子濃度的二維分布,并和實(shí)驗(yàn)

3、測(cè)量得到的不同弦長(zhǎng)上的光譜輻射強(qiáng)度進(jìn)行比較?;谀P?,分析得到汞原子63p1態(tài)的主要產(chǎn)生和損失機(jī)制,并對(duì)磁芯外置式感應(yīng)耦合等離子體光源和磁芯內(nèi)置式感應(yīng)耦合等離子體光源進(jìn)行對(duì)比分析,結(jié)果表明前者的等離子體參數(shù)在放電管截面上的分布更加均勻。
  對(duì)于線圈繞制式感應(yīng)耦合等離子體光源,論文通過設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)證明了導(dǎo)致管壁發(fā)熱的原因不是線圈發(fā)熱,而是由于等離子體的管壁復(fù)合引起。然后建立了放電管截面的二維自洽模型,分析了頻率和氣體溫度對(duì)放電參數(shù)的影

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