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![數(shù)字集成電路的可靠性設(shè)計(jì).pdf_第1頁(yè)](https://static.zsdocx.com/FlexPaper/FileRoot/2019-3/14/18/5ecceaa7-9fb9-41ca-8f68-7e00e79643fd/5ecceaa7-9fb9-41ca-8f68-7e00e79643fd1.gif)
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文檔簡(jiǎn)介
1、在現(xiàn)代科技日新月異的今天,半導(dǎo)體器件特征尺寸快速縮減、晶體管集成度大約每18個(gè)月翻一倍,集成電路可靠性受到越來越多的關(guān)注,尤其是NBTI誘發(fā)的老化和高能粒子輻射誘發(fā)的軟錯(cuò)誤嚴(yán)重影響著集成電路生命周期。負(fù)溫度偏置不穩(wěn)定性(NBTI)會(huì)影響電路的最大工作頻率并最終導(dǎo)致電路出現(xiàn)時(shí)序違規(guī)問題,導(dǎo)致電路失效;而航空航天環(huán)境下的高能粒子輻射會(huì)誘發(fā)單粒子翻轉(zhuǎn)(SEU),這些軟錯(cuò)誤可能會(huì)傳播到輸出端使得最終結(jié)果出錯(cuò),這在一些安全關(guān)鍵領(lǐng)域是絕對(duì)不能容忍的
2、。因此對(duì)集成電路可靠性的研究勢(shì)在必行,本文針對(duì)集成電路的可靠性進(jìn)行了深入的探索,主要的研究?jī)?nèi)容和創(chuàng)新如下:
第一,實(shí)現(xiàn)了基于雙模冗余和三模冗余的兩種抗輻射加固結(jié)構(gòu),前者在兩個(gè)同構(gòu)的D觸發(fā)器也即雙模冗余結(jié)構(gòu)(DMR-DFF)的輸出端插入Muller C單元,這樣可以有效阻塞SEU引發(fā)的軟錯(cuò)誤,防止軟錯(cuò)誤傳播到下一級(jí)邏輯。而后者是由三個(gè)同構(gòu)的D觸發(fā)器外加表決器(Voter)組成的,表決器進(jìn)行“三中取二”的邏輯運(yùn)算,可以容忍仟何一路
3、信號(hào)上發(fā)生的軟錯(cuò)誤。以4位乘法器為載體,完成了版圖設(shè)計(jì),并且進(jìn)行SEU注入仿真和軟錯(cuò)誤敏感度分析,具體量化了這兩種結(jié)構(gòu)的防護(hù)效果,使得軟錯(cuò)誤率下降達(dá)到接近100%。
第二,本文針對(duì)NBTI誘發(fā)的老化進(jìn)行了研究,主要包括老化的檢測(cè)和容老化的方法。提出了一種能夠檢測(cè)老化并且可以隨著老化程度而自適應(yīng)的時(shí)序單元-ASCSE。該結(jié)構(gòu)利用可配置的脈沖式鎖存器,分為兩種工作模式:檢測(cè)老化模式和容忍老化模式。通過在脈沖期間檢測(cè)跳變來檢測(cè)老化,
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