1、隨著集成電路技術(shù)的發(fā)展，傳統(tǒng)的基于單一晶體管功能的硅集成電路，出現(xiàn)了很多困難的、急待解決的問題，而浮柵MOS晶體管(Floating-gateMOS)，作為一種新型高功能度的單元晶體管，為解決集成電路中晶體管數(shù)目及互連線增多帶來的問題提供了一種有效的途徑。本論文主要對(duì)浮柵MOS器件的工作原理、特性及SPICE模型等進(jìn)行了分析，在此基礎(chǔ)上，以開關(guān)—信號(hào)理論為指導(dǎo)，提出了基本門電路、四值編—譯碼電路、施密特觸發(fā)器、D鎖存器以及D觸發(fā)器等電路

2、的開關(guān)級(jí)設(shè)計(jì)。 利用浮柵MOS器件實(shí)現(xiàn)了基本門電路以及四值編—譯碼電路的設(shè)計(jì)，文中給出了詳細(xì)的設(shè)計(jì)方法、性能分析，并對(duì)所設(shè)計(jì)的電路進(jìn)行了HSPICE模擬，結(jié)果表明所設(shè)計(jì)的電路功能正確，與以往設(shè)計(jì)相比，這些電路具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，延遲較小，完全可以采用標(biāo)準(zhǔn)的雙層多晶硅CMOS工藝參數(shù)予以實(shí)現(xiàn)等特點(diǎn)。 將浮柵MOS器件的控閾技術(shù)用于施密特觸發(fā)器的設(shè)計(jì)中，設(shè)計(jì)出了與傳統(tǒng)CMOS器件設(shè)計(jì)相比結(jié)構(gòu)更簡(jiǎn)單、功耗更低的施密特觸發(fā)器，并且進(jìn)一