1、為了更大程度地提高集成電路的集成度,使它能夠繼續(xù)按照摩爾定律和等比例縮小規(guī)律發(fā)展下去,就必須在器件工藝方面取得更大的突破.對(duì)于跟器件尺寸密切相關(guān)的超大規(guī)模集成電路VLSI來(lái)說(shuō),傳統(tǒng)的工藝尺寸已經(jīng)逐漸不能滿足當(dāng)前集成電路的發(fā)展要求,硅片技術(shù)迅速發(fā)展的勢(shì)頭有可能在十年內(nèi)(甚至更短的時(shí)間內(nèi))放慢以至完全停頓下來(lái).這是因?yàn)?隨著制作在芯片上的傳統(tǒng)晶體管及其它電子元件的尺寸越來(lái)越小,各種有害的副作用的影響就越來(lái)越突出.而量子器件在這方面有著非常明

2、顯的優(yōu)勢(shì),它以其固有的超高速、超高頻、超高集成度、高效低功耗等特點(diǎn),在未來(lái)VLSI方面有著及其重要的應(yīng)用前景,將成為21世紀(jì)信息技術(shù)的支柱.論文設(shè)計(jì)了基于RT量子器件的二值與非門(mén)與或非門(mén),設(shè)計(jì)的門(mén)電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,并具有量子器件所具有的速度快、功耗低、集成度高等優(yōu)點(diǎn).因此,由它們構(gòu)成的邏輯電路也具有相同的優(yōu)點(diǎn),適合作為大規(guī)模集成電路中的單元電路.由于RT量子器件本身所特有的多值特性,因此基于RT器件的多值電路設(shè)計(jì)受到越來(lái)越多的重視,論文首先

3、基于開(kāi)關(guān)序列方法對(duì)傳統(tǒng)的三值反相器進(jìn)行了改進(jìn),以此為基礎(chǔ)將開(kāi)關(guān)序列設(shè)計(jì)方法推廣到四值反相器的設(shè)計(jì),并實(shí)現(xiàn)了基于RT量子器件的三值與非門(mén)、或非門(mén)設(shè)計(jì).觸發(fā)器是時(shí)序電路核心,論文設(shè)計(jì)了基于RT量子器件的JK觸發(fā)器,并在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)了帶直接預(yù)置端的邊沿型JK觸發(fā)器.所設(shè)計(jì)的JK觸發(fā)器功能強(qiáng),且與傳統(tǒng)的觸發(fā)器相比,基于RT量子器件的邊沿型JK觸發(fā)器具有量子器件的功耗低、速度快、電路簡(jiǎn)單等特點(diǎn).該文設(shè)計(jì)的JK觸發(fā)器豐富了量子電路中觸發(fā)器的種類(lèi),使