1、隨著無線通信產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，人們對無線通信產(chǎn)品在尺寸、速度、功耗、價格上提出了越來越高的要求。在市場的推動下，砷化鎵射頻集成電路的研究已成為近年來產(chǎn)業(yè)界和學(xué)術(shù)界關(guān)注的熱點。無源器件作為射頻集成電路中不可缺少的部件，受到越來越多的關(guān)注。隨著系統(tǒng)工作頻率和系統(tǒng)性能要求的提高，對于無源器件的性能和模型精度的要求也越來越高。無源器件的設(shè)計和應(yīng)用，直接影響到電路的整體性能。如何實現(xiàn)高性能的片上螺旋電感，成為射頻集成電路的研究重點。
　　 本論

2、文采用電磁場(EM)建模的分析方法，在0.5-20GHz的頻率范圍內(nèi)提取了砷化鎵襯底上MIM電容、方形螺旋電感和微帶傳輸線的等效電路模型，該模型充分考慮了襯底損耗、趨膚效應(yīng)、接近效應(yīng)等因素對無源器件特性的影響，使用臺灣宏捷科技(AWSC)2μm截止頻率為29.5GHz的InGaP/GaAs HBT工藝，進(jìn)行了螺旋電感和MIM電容的樣片流片。利用安捷倫（Agilent）矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀N5230C和Cascade Microtech微波探針

3、臺搭建了在片測量系統(tǒng)，對該螺旋電感和MIM電容進(jìn)行了測試，并采用了兩種去除電路寄生參數(shù)的剝離方法，分析了高頻條件下各種測試寄生參量的影響。
　　 通過和實際測量的結(jié)果進(jìn)行對比，證明了在相當(dāng)寬的頻帶范圍內(nèi)該方法與測試數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性和有效性。同時，把EM仿真結(jié)果應(yīng)用在一種π型匹配電路的設(shè)計中，結(jié)論表明，對無源器件應(yīng)用EM建模的方法提高了射頻/微波集成電路設(shè)計的性能和效率。這種方法可用于射頻和微波集成電路的設(shè)計，從而提高電路設(shè)計的性能和