1、同時含有有機高分子和納米晶體(如金屬銀和羥基磷灰石無機材料)的納米雜化復合薄膜會在電學、光學、磁學和生物學領域表現(xiàn)出有別于這兩者的特殊的性質。而制備這樣的復合薄膜的方法就成為材料制備中的重要因素。作為簡單而且便捷的制備方法的,用濕化學法來制備聚合物納米雜化材料已被廣泛地應用。而目前用聚苯并咪唑類薄膜作為基體材料制備這種層層復合的納米雜化復合薄膜的研究還在起步階段。本文就以此為背景,研究了羥基磷灰石和銀納米晶體復合的以聚苯并咪唑類聚合物為

2、基體的納米雜化薄膜的制備方法和以此制得的納米雜化復合薄膜在性能應用上的特殊性。由于氨基獨特的醫(yī)學領域的應用,采用含有氨基的聚合物表面生長羥基磷灰石材料得到廣泛的關注。因此,本文嘗試采用以氨基封端的超支化苯并咪唑(HBPBI)薄膜作為基體材料成長羥基磷灰石納米結構。薄膜通過三種不同溶液(CaCl2,Na2HPO4和SBF)的浸泡后,成功地在表面生成了一層羥基磷灰石。研究顯示氨基封端的HBPBI薄膜表面高密度的氨基、亞氨基和苯并咪唑基團成為

3、了羥基磷灰石成長生長的活性點。同時,還將只含有苯并咪唑基團聚[2,2’-(對氧基聯(lián)苯)-5,5’-苯并咪唑(]OPBI)薄膜和同時含有苯并咪唑和磺酸基團的磺化聚[2,2’-(對氧基聯(lián)苯)-5,5’-苯并咪唑](SOPBI)薄膜表面生長羥基磷灰石的情況用將15次交替浸泡和7天SBF浸泡相結合的方法進行比較。研究表明,苯并咪唑基團和磺酸基團均可作為羥基磷灰石成核生長的活性點。但含有磺酸基團的SOPBI的負電可以大大加速羥基磷灰石的成核生長的

4、速度。通過Ca和P前驅體誘導兩種薄膜在SBF溶液中進行14天生長的結果表明即使磺酸基團提供的負電的表面可以與Ca離子結合誘導羥基磷灰石的成核生長,同時存在苯并咪唑和磺酸基團的SOPBI薄膜誘導羥基磷灰石的成核生長的速度還是有薄膜表面的酸堿性決定的。通過種子誘導和化學浴沉積的方法,銀納米顆粒及其組裝結構可在OPBI薄膜表面均勻的生長。銀納米粒子和苯并咪唑基團的相互作用力確保了其在復合薄膜表面的粘合力。而且此類薄膜可在高溫絕氧條件下穩(wěn)定存在