1、絕緣體上硅P型橫向雙擴(kuò)散晶體管(SOI-PLDMOS)具有全介質(zhì)隔離、寄生效應(yīng)小、擊穿電壓高、導(dǎo)通電阻低及與標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝兼容等特點(diǎn)，已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于功率集成電路中。然而，SOI-PLDMOS器件通常工作在強(qiáng)電場、大電流等惡劣環(huán)境下，其熱載流子可靠性問題十分嚴(yán)重。因此，迫切需要對(duì)SOI-PLDMOS器件熱載流子退化的內(nèi)在機(jī)理展開深入研究。
　　本文首先重點(diǎn)研究了最大襯底電流（Isubmax）應(yīng)力條件下SOI-PLDMOS器件熱載

2、流子的退化機(jī)理，研究結(jié)果表明，熱電子注入柵極金屬場板末端的氧化層以及界面態(tài)產(chǎn)生為主要熱載流子退化機(jī)理，表現(xiàn)為器件飽和電流（Idsat）先增大后減小的趨勢(shì)。同時(shí)，研究發(fā)現(xiàn)適當(dāng)增加溝道長度、漂移區(qū)長度、柵極金屬場板長度均有利于減小器件的熱載流子退化。其次本文還詳細(xì)研究了器件處于動(dòng)態(tài)應(yīng)力條件下的熱載流子退化機(jī)理。研究結(jié)果表明，在高電平應(yīng)力階段，低柵壓時(shí)，柵壓越大，柵極金屬場板末端的熱電子注入量越小，Idsat增加量越小;而高柵壓時(shí)，Idsat

3、受溝道區(qū)熱空穴注入的影響呈現(xiàn)隨應(yīng)力時(shí)間不斷減小的趨勢(shì)。在零電平應(yīng)力階段，主要退化機(jī)理為熱電子注入柵極金屬場板末端的氧化層機(jī)制，表現(xiàn)為Idsat不斷增大的趨勢(shì)。在柵脈沖上升下降沿階段，器件的熱載流子退化機(jī)理與脈沖下降沿的變化率有關(guān):當(dāng)脈沖下降沿的變化率很大時(shí)，柵脈沖上升下降沿階段存在“瞬態(tài)效應(yīng)”，其主要的熱載流子退化機(jī)理表現(xiàn)為界面態(tài)的生成機(jī)制，造成器件的Idsat的增加量減小。
　　本文建立了一套完整的SOI-PLDMOS器件的熱載