1、隨著集成電路工藝尺寸的不斷縮小以及集成度的日益提高，功率密度不斷增大，半導(dǎo)體器件的自熱問(wèn)題已成為目前最受矚目的，且極富挑戰(zhàn)性的研究領(lǐng)域之一。特別是絕緣體上硅(SOI，Silicon onInsulator)工藝的問(wèn)世，其特有的絕緣埋層結(jié)構(gòu)直接阻礙了熱量的傳播，使得自熱效應(yīng)(SHE，Self-heating Effects)進(jìn)一步加劇，嚴(yán)重影響了功率器件的可靠性和使用壽命。
　　論文旨在詳細(xì)研究功率SOI-LDMOS器件的自熱特性。

2、首先詳細(xì)分析了功率SOI-LDMOS器件內(nèi)部熱產(chǎn)生與傳導(dǎo)的微觀物理機(jī)制，模擬分析了其熱產(chǎn)生與傳導(dǎo)的二維分布特性，結(jié)果顯示在SOI-LDMOS器件中焦耳熱所占比重最大，主要集中在漂移區(qū)附近，而湯姆遜熱則主要集中在漏端緩沖層，復(fù)合熱可以忽略不記，器件最終熱特性分布主要由焦耳熱決定；其次，重點(diǎn)研究了功率SOI-LDMOS器件在瞬態(tài)條件下，柵脈沖上升沿時(shí)間、幅度、維持時(shí)間以及占空比因素對(duì)其瞬態(tài)自熱響應(yīng)的影響，模擬結(jié)果表明上升沿時(shí)間對(duì)自熱特性影響