高精度CMOS溫度傳感器關(guān)鍵技術(shù)研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文對實現(xiàn)高精度CMOS溫度傳感器的斬波技術(shù)進行了系統(tǒng)研究，利用斬波技術(shù)實現(xiàn)了一種適用于SOC的高精度帶隙基準(zhǔn)源設(shè)計，有效地減小了帶隙基準(zhǔn)源中運放的失調(diào)所引起的誤差，大大提高了基準(zhǔn)源的精度。當(dāng)負載電流鏡或差分輸入對存在2﹪的失配時，該基準(zhǔn)源的輸出波動峰峰值為0.394mV，與傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的帶隙基準(zhǔn)源相比，相對精度提高了87倍。在室溫下斬波頻率為100KHz時，基準(zhǔn)源提供0.768V的輸出電壓。當(dāng)電源電壓在1V到1.5V變化時，該基準(zhǔn)源輸出電

2、壓波動小于0.03mV；當(dāng)溫度在0℃到80℃變化時，該基準(zhǔn)源的溫度系數(shù)小于12-ppm/℃?；鶞?zhǔn)源的最大功耗小于4.5μA，采用0.25μm2P5MCMOS工藝實現(xiàn)的版圖面積為0.3×0.4mm2。為適應(yīng)模擬電路對低電源電壓的要求，基于TSMC0.25μmCMOS工藝的PMOS襯底驅(qū)動技術(shù)，采用電流反饋技術(shù)設(shè)計了低壓CMOSPTAT電壓基準(zhǔn)源電路。采用Hspice進行仿真，電源電壓為0.8V，室溫下的電源電流為4.5μA，溫度范圍為0～

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