1、高壓半導體器件作為高壓集成電路的重要組成部分，其性能及可靠性直接關系到最終電路系統(tǒng)的質量和成敗，開發(fā)具有高優(yōu)化性及高可靠性的高壓器件對電路系統(tǒng)應用具有十分重要的意義。本文的主要工作是設計了二款高壓器件(STI-LDMOS和SJMOS)，并將其應用于相應的電路當中。
　　 鑒于標準BCD工藝和標準DMOS工藝具有良好的工藝能力，因此本文分別基于標準BCD工藝和標準DMOS工藝開發(fā)高壓器件，不僅可以保證器件的性能，還能縮短器件的開發(fā)

2、周期。然而，由于采用傳統(tǒng)的工藝和器件結構，傳統(tǒng)高壓器件在電路應用中暴露了某些固有缺陷：芯片使用面積過大，驅動能力不足等。為此，本文在深入研究了半導體物理原理和高壓MOS器件結構的基礎上，分別引入STI技術替代LOCOS技術對LDMOS進行重新設計和使用超結結構對VDMOS進行結構優(yōu)化，并結合SILVACO軟件對這兩種器件進行工藝器件參數(shù)優(yōu)化。為得到電路設計所需的器件電氣參數(shù)，本文還應用BsimProPlus軟件對所設計的高壓MOS器件進

3、行參數(shù)提取。
　　 本論文工作主要的創(chuàng)新點體現(xiàn)在以下幾個方面：
　　 (1)在LDMOS器件設計方面，使用STI技術來取代LOCOS技術，降低LDMOS的比導通電阻，提高了芯片的功率密度；
　　 (2)在SJMOS器件設計方面，對器件版圖和器件退火時間的重新設計，減少了SJMOS掩模版的數(shù)量，降低了SJMOS工藝生產成本；
　　 (3)在器件參數(shù)提取方面，應用現(xiàn)有的BsimProPlus軟件和HVMOS模