1、作為微型傳感器重要部件的敏感元件的設計與制作依賴于新的理論以及新的材料，敏感元件性能的好壞直接影響微型傳感器的性能。本文以雙勢壘量子阱結構為模型，計算分析了應變對其等效電容的影響，并提出介觀壓容效應的概念，為以后微型傳感器敏感元件的設計提供參考。
　　在超晶格薄膜組成的雙勢壘量子阱二極管器件（DBRT）的外部施加單軸壓力會使得器件內部的薄膜發(fā)生形變——薄膜的幾何尺寸會改變，這樣就會改變器件的隧穿電流的大小，同時器件的各項電學參數(shù)將

2、會發(fā)生改變，本文將研究DBRT器件的等效電容在壓力作用下變化的現(xiàn)象。
　　文章首先從超晶格的共振隧穿效應出發(fā)，分別推導了超晶格的隧穿電流計算方法和超晶格費米能級的計算方法。對DBRT模型所用材料的一些參數(shù)進行了計算。
　　其次，為了降低計算的復雜程度，對DBRT結構模型進行了電路等效化，通過計算得到了該模型的等效電容表達式，等效電容的大小與隧穿電流有著密切的關系。
　　最后，依據(jù)材料力學的相關知識，分別計算了應變與DB