1、計算機、通信、傳感器等技術的高速發(fā)展，大大促進了電子器件的微型化。為此，各國都投入了大量的人力和物力。隨之，微機電系統(tǒng)（MEMS）加工技術、納機電系統(tǒng)（NEMS）加工技術、分子束外延（MBE）技術等得到快速發(fā)展。各種新型的微電子器件被加工出來。因器件自身尺寸的縮小，從而產生各種效應，量子效應就是其中最重要的一種效應。它會使器件的性能和特征發(fā)生改變。本文主要研究了場效應管（FET）。基于對介觀壓阻效應的延展，作者提出介觀壓導效應，可簡單定

2、義為“應力對電流的調制”。其由四個物理過程組成：（1）在一定條件下的均勻應力引起納米結構中的應力分布發(fā)生變化；（2）一定條件下應力變化可以引起內建電場的產生；（3）內建電場將導致FET溝道導帶能級發(fā)生變化；（4）溝道導帶能級發(fā)生變化會引起載流子濃度的降低從而引起溝道電流ID的變化。通過上述過程可以將一個弱力學信號轉化為強電學信號。
　　本文所做的單軸應力下應變對NMOSFET的ID-VDS特性、ID-VGS特性、Gtr-VGS特性

3、的影響是介觀壓導效應的實現(xiàn)。利用MATLAB軟件計算繪圖，分析應力對NMOSFET特性的影響。找出Gtr-VGS特性是最好的研究對象。根據(jù)Gtr-VGS特性設計了介觀壓導微位移傳感器。最后計算了傳感器的輸入輸出特性和靈敏度，和經典的壓阻式位移傳感器作了比較。
　　主要研究內容如下：
　?。?）從能帶理論的角度尋找介觀壓導的理論支撐。
　?。?）計算NMOSFET結構中，應變對溝道電流的影響，分析它的壓導效應。