1、本文采用濕化學(xué)方法一化學(xué)共沉淀法和水熱法來(lái)分別制備納米ITO粉體。討論了共沉淀法中制備條件，如體系pH值、煅燒溫度、分散劑的添加方法等對(duì)ITO粉體形貌的影響。發(fā)現(xiàn)采用硅酸鈉為分散劑對(duì)共沉淀前驅(qū)體進(jìn)行潤(rùn)洗，再在700℃下煅燒2h可獲得晶型生長(zhǎng)完全、粒徑小、比表面積大、粒度分布均勻的立方結(jié)構(gòu)的納米ITO粉末。 探索了水熱反應(yīng)條件：反應(yīng)溫度、反應(yīng)時(shí)間、礦化劑和反應(yīng)介質(zhì)對(duì)制備ITo晶體的影響，在實(shí)驗(yàn)的上限溫度(<300℃)內(nèi)不能用水

2、熱法直接制備出ITO晶體。但是可以生成結(jié)晶性良好的氫氧化銦晶體和羥基銦晶體，作為低溫煅燒的前驅(qū)體可最后生成六方結(jié)構(gòu)的納米ITO粉末。 兩種方法生成了不同結(jié)構(gòu)的ITO晶體，是由于前驅(qū)體的不同導(dǎo)致了煅燒過(guò)程中晶體生長(zhǎng)面族的不同，最終產(chǎn)生同質(zhì)異構(gòu)現(xiàn)象，這可以用配位場(chǎng)理論和晶核形成機(jī)理得到很好的解釋。 最后測(cè)試了ITO樣品的電性能、微波和紅外吸收性能，討論了Sn的摻雜量、煅燒溫度、前驅(qū)體形式等對(duì)ITO性能的影響。發(fā)現(xiàn)當(dāng)Sn的摻雜