枕型二維位置敏感探測器(PSD)的研制.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、半導體位置敏感探測器PSD(Position Sensitive Detector)是一種基于半導體PN結(jié)的橫向光電效應,對入射光斑位置及其位置變化進行探測的光電器件,與光電二極管陣列和CCD等離散型位置探測器相比,具有光敏面無探測盲區(qū)、分辨率高、信號檢測方便、價格便宜等優(yōu)點,廣泛用于距離測量、角度測量、精確定位等,在科學試驗和工程檢測中具有較高的實用價值。
   本文在綜述發(fā)展枕型二維PSD的原因、闡明本文選題依據(jù)之后,首先研

2、究了PSD有關的理論問題。詳細地介紹了PSD基于的pn結(jié)的縱向光電效應與橫向光電效應、Lucovusky方程以及Gear定理的一種證明,并根據(jù)Gear定理設計了有效光敏面為8mm×8mm枕型二維PSD。
   在制作工藝方面,制作枕型二維PSD的關鍵在于Gear定理的滿足,即單位長度邊界電阻應等于光敏區(qū)的方塊電阻與邊框曲率半徑的比。在比較半導體工藝中常用的摻雜技術后,由于離子注入的均勻性好,摻雜能精確控制且適合制作淺結(jié),故選用離

3、子注入摻雜方法形成邊界與光敏面薄層電阻,并詳細介紹了器件制作流程與工藝。
   本文還對枕型二維PSD的信號處理技術進行了研究,并對其進行了位置線性度測量,與日本濱松的枕型PSD器件參數(shù)比較,我們制作的枕型PSD的位置線性度達到或者優(yōu)于其標準,達到了設計的目標。
   最后,研究了枕型二維PSD的極間電阻與Gear定理之間的關系,可由具體器件的極間電阻確定其單位長度的邊界電阻與光敏區(qū)方塊電阻,從而可以用Gear定理來判別

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