多組元GeSiGe系磁制冷材料及其復合化研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁,還剩68頁未讀 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權,請進行舉報或認領

文檔簡介

1、磁制冷技術是一種具有節(jié)能、環(huán)保等優(yōu)點的新型制冷技術。以Gd5Si2Ge2為代表的Gd5(SixGe1-x)4系金屬間化合物因其優(yōu)異的磁熱性能而有望成為室溫區(qū)磁制冷技術的工質材料。但是,這類材料的磁熱性能在很大程度上受到其成分及結構的影響。另一方面,這類材料還存在制冷溫跨窄的問題。具體而言,一旦工作溫度偏離TC時,材料的磁熱效應就會急劇減小。這對于其實用化造成了很大的困難。針對上述問題,本文首先制備了Gd5Si2Ge2合金,研究了原料純度

2、、制備工藝對其組成結構和磁熱性能的影響,制備出了具有良好磁熱性能的Gd5Si2Ge2合金。在此基礎上,采用復合化的技術制備了具有層狀結構Gd/GdSiGe復合型磁制冷材料。較好地解決了單組元材料制冷溫跨低的問題,同時建立了材料的磁熱效應疊加理論模型。 用懸浮熔煉爐分別熔煉以低純Gd(質量百分數(shù)>98.9%)和高純Gd(質量百分數(shù)>99.49%)為原料的Gd5Si2Ge2合金,利用振動樣品磁強計(VSM)測量了上述樣品在不同溫度下

3、的等溫磁化曲線(M-H曲線),并結合公式計算出材料的磁熵變,利用智能磁熱效應測量儀測量樣品的絕熱溫變。研究發(fā)現(xiàn)Gd的純度對合金的磁熱性能具有重大的影響。低純合金由于組織成分均勻性差,其磁化曲線無法形成一級相變,因此導致合金的磁熱效應明顯偏低。將高純Gd制備的Gd5Si2Ge2合金在不同溫度下真空退火,發(fā)現(xiàn)隨著退火溫度的升高,其磁熵變和絕熱溫變逐漸增大,到一定溫度時其磁熵變及絕熱溫變呈降低的趨勢。在最好的退火條件下,Gd5Si2Ge2合金

4、的最大磁熵變?yōu)?.6(JKg-1·K-1)。 用SPS放電等離子燒結技術制備了Gd/GdSiGe層狀復合磁制冷材料,用掃描電子顯微鏡觀察了Gd/GdSiGe層狀復合磁制冷材料的顯微組織,用振動樣品磁強計及智能磁熱效應測量儀測量了Gd/GdSiGe層狀復合磁制冷材料的磁熱效應。所制備復合材料的界面清晰,過渡層厚度低于10微米,磁熱效應曲線比單組元的曲線平緩,使其適合磁埃里克森循環(huán),同時通過調整復合材料各單組元的復合比可以調整復合磁

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論